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集成电路/STPS30SM100S
商品型号:STPS30SM100S

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STPS30SM100S
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS30SM100S

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181405652
  • 商品重量:0.000100kg
STPS30SM100S中文资料
STPS30SM100S中文资料第2页精选内容:特点 STPS30SM100S 2/11 Doc ID 15517 Rev 4 1特点要评估传导损耗,请使用以下公式: P = 0.580×I F(AV) + 0.0033×I F 2 (RMS)表2绝对额定值(端子1和3短路时的极限值)符号参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 100 V I F(RMS)正向电流有效值 60一个 我 (AV)平均正向电流 δ= 0.5 TO-220AB,TO-220AB窄引线, D 2 PAK,I 2 PAK,T c = 125℃三十一个 TO-220FPAB,T c = 80℃ 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10ms正弦曲线,端子1和3短路 530一个 P ARM (1)重复峰值雪崩功率 t p =1μsT j = 25℃ 21500 w ^ V ARM (2)最大重复峰值雪崩电压 t p <1微秒T j <150℃ 我 AR <53.8 A 120 V V ASM (2)最大单脉冲峰值雪崩电压 t p <1微秒T j <150℃ 我 AR <53.8 A 120 V T stg存储温度范围 -65到+ 175 C T j 最高工作结温 (3) 150 C 1.有关温度或脉冲持续时间的降额,请参阅图4.和图5.有关雪崩的更多详细信息在应用笔记AN1768和AN2025中提供了雪崩能量测量和二极管验证. 2.参考图13. 3.以避免散热器上的二极管发生热失控 dPtot DTJ < 1 RTH(JA)表3.热阻符号参数值单元 R th(jc)交界处的情况 TO-220AB,TO-220AB窄引线, D 2 PAK,I 2 PAK 1 °C / W TO-220FPAB 4表4静电特性(端子1和3短路)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 R (1)反向漏电流 T j = 25℃ V R = V RRM 45 μA T j = 125℃ 15 45嘛 V F (2)正向压降 T j = 25℃ 我 F = 5 A. 500毫伏 T j = 125℃ 420 T j = 25℃ 我 F = 10A 600 670 T j = 125℃ 505 560 T j = 25℃ 我 F = 30 A. 780 870 T j = 125℃ 630 690 1. 脉冲测试
STPS30SM100S关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STPS30SM100S中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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