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集成电路/STPS40M120CT
商品型号:STPS40M120CT

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STPS40M120CT
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS40M120CT

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181405640
  • 商品重量:0.000100kg
STPS40M120CT中文资料
STPS40M120CT中文资料第2页精选内容:特点 STPS40M120C 2/9 Doc ID 022916 Rev 1 1特点当两个二极管1和2同时使用时: ΔT (二极管1)= P(二极管1)×R th(jc) (每个二极管)+ P(二极管2)×R th(c)表2 绝对额定值(T amb = 25°C时 每个二极管的极限值 ,除非另有规定)另有规定)符号参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 120 V I F(RMS) 正向均方根电流三十一个 我 (AV)平均正向电流, δ= 0.5每个二极管 T c = 130℃ 20一个每个设备 T c = 120℃ 40 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10 ms正弦曲线 220一个 P ARM (1) 1.对于脉冲时间降额,请参考图4.关于雪崩能量的更多细节 STMicroelectronics应用中提供了雪崩测量和二极管验证注释AN1768,“肖特基二极管的雪崩能量允许”和AN2025,“转换器改进”采用肖特基整流器雪崩规范“.重复峰值雪崩功率 T j = 125℃,t p =10μs 1600 w ^ V ARM (2) 2.参见图9最大重复峰值雪崩电压 t p <10μs,T j <125℃,I AR <10.7A 150 V VASM (2)最大单脉冲峰值雪崩电压 t p <10μs,T j <125℃,I AR <10.7A 150 V T stg存储温度范围 -65到+175 C T j 最高工作结温 (3) 3.以避免散热器上的二极管发生热失控 150 C表3.热阻符号参数值单元 R th(jc)交界处的情况每个二极管 1.10 °C / W总 0.80 R th(c)耦合 0.50 dPtot DTJ < 1 RTH(JA)
STPS40M120CT关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*STPS40M120CT中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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