返回顶部

集成电路/STPS5H100BY-TR
商品型号:STPS5H100BY-TR

参考起售量(pcs)参考价格
1 个以上¥95/个
品牌:ST(意法半导体)
封装:-
货期:1天
已售出: 0个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:STPS5H100BY-TR
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS5H100BY-TR

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181414978
  • 商品重量:0.000100kg
STPS5H100BY-TR中文资料
STPS5H100BY-TR中文资料第2页精选内容:特点 STPS5H100-Y 2/7 Doc ID 17744 Rev 1 1特点要评估传导损耗,请使用以下公式: P = 0.51×I F(AV) + 0.02I F 2 (RMS)表2绝对额定值(极限值)符号参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 100 V I F(RMS) 正向均方根电流 10一个 我 (AV)平均正向电流 T c = 165℃,δ= 0.5五一个 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10 ms正弦曲线 75一个 我 RRM重复峰值反向电流 t p =2μs,F = 1KHz 1一个 我 RSM不重复的峰值反向电流 t p =100μs平方 2一个 P ARM重复峰值雪崩功率 t p =1μsT j = 25℃ 7200 w ^ T stg存储温度范围 -65到+ 175 C T j 操作结温 (1) 1.以避免散热器上的二极管发生热失控 -40到+175 C的dV / dt临界反向电压上升率 10000 V /μs的表3.热阻符号参数值单元 R th(jc)交界处的情况 2.5 °C / W表4静电特性符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 R (1) 1. 脉冲测试:t p = 5ms,δ<2%反向泄漏当前 T j = 25℃ V R = V RRM 3.5 μA T j = 125℃ 1.3 4.5嘛 V F (2) 2. 脉冲测试:t p =380μs,δ<2%正向压降 T j = 25℃ 我 F = 5 A. 0.73 V T j = 125℃ 0.57 0.61 T j = 25℃ 我 F = 10 A. 0.85 T j = 125℃ 0.66 0.71 dPtot DTJ < 1 RTH(JA)
STPS5H100BY-TR关联型号
机译版中文资料(1/7) 英文原版数据手册(1/7)

*STPS5H100BY-TR中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共7页,到第