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集成电路/STPS640CF
商品型号:STPS640CF

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STPS640CF
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPS640CF

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181405598
  • 商品重量:0.000100kg
STPS640CF中文资料
STPS640CF中文资料第3页精选内容: 1E-3 1E-2 1E-1 1E + 0 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 TP(S)第i(JC)/的Rth(JC)单脉冲 δ= 0.1 δ= 0.2 δ= 0.5 ? δ = tp / T TP图4.1:热瞬态的相对变化阻抗结到外壳对脉冲持续时间 (TO-220AB / DPAK). 1E-3 1E-2 1E-1 1E + 0 0五 10 15 20 25三十 35 40吨(S)我是一个) TC = 75 C TC = 130 C TC = 100 C 我 M ? δ= 0.5图3-2:非重复浪涌峰值正向电流与过载持续时间. (每个二极管的最大值)(ISOWATT220AB). 1E-3 1E-2 1E-1 1E + 0 1E + 1 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 TP(S)第i(JC)/的Rth(JC) ? δ = tp / T TP单脉冲 δ= 0.1 δ= 0.2 δ= 0.5图4-2:热瞬态的相对变化阻抗结到外壳对脉冲持续时间 (ISOWATT220AB). 0五 10 15 20 25三十 35 40 1E-5 1E-4 1E-3 1E-2 VR(V) IR(A) TJ = 150 C TJ = 75 C TJ = 100 C TJ = 125 C图5:反向漏电流与反向施加的电压(典型值,每个二极管). 1E-3 1E-2 1E-1 1E + 0 0五 10 15 20 25三十 35 40 45吨(S)我是一个) TC = 75 C TC = 135 C TC = 100 C 我 M ? δ= 0.5图3-1:非重复浪涌峰值正向电流与过载持续时间. (每个二极管的最大值)(TO-220AB / DPAK). 12五 10 20 50 10 100 500 VR(V) C(pF)的 F = 1MHz的 TJ = 25 C图6:结电容与反向施加的电压(典型值,每个二极管). STPS640CT / CF / CB 3/6
机译版中文资料(1/6) 英文原版数据手册(1/6)

*STPS640CF中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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