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集成电路/STPSC1206D
商品型号:STPSC1206D

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STPSC1206D
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STPSC1206D

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181416825
  • 商品重量:0.000100kg
STPSC1206D中文资料
STPSC1206D中文资料第2页精选内容:特点 STPSC1206 2/7 Doc ID 16288 Rev 1 1特点要评估传导损耗,请使用以下公式: P = 1.2×I F(AV) + 0.075×I F 2 (RMS)表2绝对额定值(除非另有说明,在25°C时的极限值)符号参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 600 V I F(RMS)正向均方根电流三十一个 我 (AV)平均正向电流 T c = 110℃,δ= 0.5 12一个 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10ms正弦曲线,T c = 25℃ t p = 10ms正弦曲线,T c = 125℃ t p =10μs平方,T c = 25°C 50 40 200一个 我 FRM重复峰值正向电流 T c = 105℃,T j = 150℃,δ= 0.1 50一个 T stg存储温度范围 -55到+175 C T j工作结温 -40到+175 C表3.热阻符号参数最大值单元 R th(jc)交界处的情况 1.75 °C / W表4静电特性符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 R (1)反向漏电流 T j = 25℃ V R = V RRM - 三十 150 μA T j = 150℃ - 200 1500 V F (2)正向压降 T j = 25℃ 我 F = 12 A. -1.4 1.7 V T j = 150℃ - 1.6 2.1 1. t p = 10ms,δ<2% 2. t p =500μs,δ<2%表5其他参数符号参数测试条件典型.单元 Q c总电容电荷 V r = 400V,I F = 12A dI F / dt = -200A /μs,T j = 150°C 12 NC C总电容 V r = 0V,T c = 25℃,F = 1MHz 750 pF的 V r = 400V,T c = 25℃,F = 1MHz 65
STPSC1206D关联型号
机译版中文资料(1/7) 英文原版数据手册(1/7)

*STPSC1206D中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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