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集成电路/STU8NC90Z
商品型号:STU8NC90Z

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STU8NC90Z
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STU8NC90Z

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181407152
  • 商品重量:0.000100kg
STU8NC90Z中文资料
STU8NC90Z中文资料第3页精选内容: 3/10 STU8NC90Z / STU8NC90ZI电气特性(续)开关(电阻负载)切断(感应负载)源二极管门源齐纳二极管注意:1.脉冲:脉冲持续时间= 300μs,占空比1.5%. 2.脉冲宽度受安全操作区域的限制. 3.ΔVBV =αT(25°-T)BV GSO (25°)栅源齐纳二极管的保护特性内置的背靠背齐纳二极管专门设计用于增强器件的性能 ESD的能力,而且也使他们安全地吸收可能偶尔会出现的电压瞬变应用从门到源.在这方面,25V的齐纳电压是适当的,以实现一个有效的经济高效的干预措施来保护设备的完整性.这些集成齐纳二极管因此避免了外部组件的使用.符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on)开启延迟时间 V DD = 400V,I D = 4A R G =4.7ΩV GS = 10V (见测试电路,图3) 36 NS t r上升时间 12 NS Q g总门电荷 V DD = 720V,I D = 8A, V GS = 10V 73 102 NC Q gs门源电荷 18 NC Q gd门排水费 27 NC符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t r(Voff)关闭电压上升时间 V DD = 720V,I D = 8A, R G =4.7Ω,V GS = 10V (见测试电路,图5) 36 NS t f下降时间 45 NS t c交叉时间 77 NS符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 SD源漏电流 7一个 我 SDM (2)源漏电流(脉冲) 28一个 V SD (1)正向电压 I SD = 7 A,V GS = 0 1.6 V t rr反向恢复时间 I SD = 8A,di / dt = 100A /μs, V DD = 50V,T j = 150℃ (见测试电路,图5) 860 NS Q rr反向恢复费用 10 μC 我 RRM反向恢复电流 24一个符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 BV GSO门源细分电压 Igs =±1mA(漏极开路) 25 V αT电压热系数 T = 25°C注(3) 1.3 10 -4 /℃ RZ动态阻力 I GS = 50mA,V GS = 0 90 Ω
STU8NC90Z关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STU8NC90Z中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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