顶部

集成电路/STW16NK60Z
商品型号:STW16NK60Z

参考起售量(pcs)参考价格
1 个以上¥95/个
品牌:ST(意法半导体)
封装:-
货期:1天
已售出: 0个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:STW16NK60Z
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STW16NK60Z

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181407583
  • 商品重量:0.000100kg
STW16NK60Z中文资料
STW16NK60Z中文资料第2页精选内容: STP16NK65Z - STB16NK65Z-S - STW16NK60Z 2/10表3:绝对最大额定值 )脉冲宽度受安全操作区域的限制 (1)I SD ≤14A ,di / dt≤200 A /μs,V DD≤V (BR)DSS , T j≤T JMAX.表4:热数据表5:雪崩特征表6:门电源齐纳二极管栅源齐纳二极管的保护特性内置的背靠背齐纳二极管专门设计用于增强器件的性能 ESD的能力,而且也使他们安全地吸收可能偶尔会出现的电压瞬变从门到源应用.在这方面齐纳电压是适当的,以实现一个有效的经济高效的干预措施来保护设备的完整性.这些集成齐纳二极管因此避免了外部组件的使用.符号参数值单元 V DS 漏源电压(V GS = 0) 600 V V DGR 漏极电压(R GS = 20 k Ω) 600 V V GS栅源电压 ±30 V 我 D T C = 25°C时的 漏极电流(连续) 14一个 我 D T C = 100°C时的 漏极电流(连续) 8.8一个 我 DM ()漏极电流(脉冲) 56一个 P TOT T C = 25°C时的 总耗散 190 w ^降额因素 1.51厕所 V ESD(GS)门极ESD(HBM-C = 100pF,R = 1.5K Ω) 6000 V TO-220 /I2SPAK TO-247 Rthj情况热阻结壳最大 0.66 Rthj-AMB热阻结 - 环境最大 62.5 50 T l用于焊接目的的最大引线温度 300符号参数最大值单元 我 AR雪崩电流,重复或不重复 (脉冲宽度由T j max 限制 ) 14一个 E AS单脉冲雪崩能量 (从T j = 25℃ 开始 ,I D = I AR ,V DD = 50V) 360兆焦耳符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 BV GSO门源细分电压 Igs =±1mA(漏极开路)三十 V
STW16NK60Z关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STW16NK60Z中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共10页,到第