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集成电路/VN5E160ASTR-E
商品型号:VN5E160ASTR-E

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:VN5E160ASTR-E
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    VN5E160ASTR-E

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181403410
  • 商品重量:0.000100kg
VN5E160ASTR-E中文资料
VN5E160ASTR-E中文资料第25页精选内容: VN5E160AS-E应用信息 Doc ID 15609 Rev 4 37分之25值.这种转换取决于在多个高速计算机的情况下有多少个设备处于开启状态, 侧共享相同的R GND的 驱动程序 .如果计算的功耗导致一个大电阻器或几个设备必须共享那么ST建议使用相同的电阻来使用解决方案2(参见第3.1.2节:解决方案2:a二极管(DGND)在地线中). 3.1.2 解决方案2: 地线中 的二极管(D GND ) 如果器件驱动一个 电阻(R GND = 1kΩ),则应并联到D GND感性负载.这个小信号二极管可以安全地在几个不同的HSD之间共享.也在这个情况下,地面网络的存在会产生一个转变( ≈600mV)在输入阈值如果微处理器接地对于设备不共用,则处于状态输出值地面.如果多于一个的HSD共用相同的二极管/电阻网络,则这个转换不会改变. 3.2加载转储保护 如果负载突降峰值电压超过,则需要 D ld (电压瞬态抑制器) V CC 最大直流额定值. 如果器件在V CC 线上 受到瞬态的影响,则也是如此大于ISO T / R 7637/1表中显示的值. 3.3 MCU I / O保护 如果使用接地保护网络并在V CC 线路 上出现负瞬态 , 控制引脚被拉负. ST建议插入一个电阻(R prot )以防止单片机的I / O引脚闭锁.这些电阻的值是微控制器泄漏电流之间的折衷和HSD I / O所要求的电流(输入电平兼容性)与闩锁限制微控制器I / O.等式2 -V CCpeak / I latchup≤R prot≤ ( VOHμC - V IH - V GND )/ I IHmax计算示例: 对于V CCpeak = - 100 V,I 闭锁 ≥20 mA, VOHμC≥4.5 V 5 k Ω≤Rprot≤180kΩ . 建议值:R prot = 10kΩ,C EXT = 10 nF.
VN5E160ASTR-E关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*VN5E160ASTR-E中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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