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集成电路/VND05B
商品型号:VND05B

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:VND05B
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    VND05B

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181414155
  • 商品重量:0.000100kg
VND05B中文资料
VND05B中文资料第5页精选内容: 5/11 VND05B / VND05B(011Y)/ VND05B(012Y)功能说明该设备有一个共同的诊断输出这两个通道表示开启负载,状态,断开负载,过热 条件和坚持到V CC .从输入信号的下降沿,状态输出,最初为低电平,表示故障状态 (超温或开路负载开启状态),将会消失回到一个不同的延迟情况下高的状态 过热(t povl )和空载情况下 (t pol )分别.这个特征允许至区分检测到的故障的性质.至保护该设备反对短路和过流情况下,热保护转向集成的PowerMOS至少关闭连接点温度的 140 ℃什么时候这个 温度恢复到 开关所需的 125 °C自动再次打开.在短路的传感器几乎没有任何延迟的保护反应 (每个频道一个)位于每个内部在两个PowerMOS领域.这个定位允许设备使用一个通道进行操作自动热循环和另一个在一个正常的负载.设备的内部功能确保了电感的快速退磁 负载的典型电压(V demag )为-18V. 这个功能可以大大降低功耗根据公式耗散: P dem = 0.5 ? L 负载? (I 负载 ) 2? [(V CC + V demag )/ V demag ] · f其中f =开关频率和 V demag =退磁电压.引起芯片的最大电感温度达到关机温度一个特定的热环境是一个函数 一个固定的V CC ,V demag 和f 的负载电流根据上面的公式.在这个设备如果 GND引脚断开,V CC 不超过 16V,两个通道都会关闭. PROTECTING THE设备反对反向电池最简单的方法来保护设备不受影响连续反向电池电压(-26V)即可在引脚2(GND)和引脚2之间插入一个肖特基二极管接地,如典型应用电路所示 (图2).这个电压下降的后果二极管如下: - 如果输入拉到电源GND,否定 器件看到 -V f的 电压 . (V il ,V ih 阈值和V STAT 由V f 增加尊重电源GND). - 欠压关断水平增加了 V f .如果不需要控制单元来处理外部模拟信号是指电源 GND,最好的方法是连接控制单元到设备的参考电位地(见图3中的应用电路)
VND05B关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*VND05B中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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