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集成电路/VND830ASP
商品型号:VND830ASP

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:VND830ASP
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    VND830ASP

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181414149
  • 商品重量:0.000100kg
VND830ASP中文资料
VND830ASP中文资料第8页精选内容: 8/17 VND830ASP GND保护网络反对反向电池 解决方案1:地线中的电阻( 仅限 R GND ). 这个可以用于任何类型的负载.以下是如何维度的指示 R GND 电阻. 1)R GND≤600mV / I S(on)max . 2)R GND≥ (-V CC )/( - I GND ) 其中-I GND 是直流反接地引脚电流,可以被发现在绝对最大的评级部分的器件的数据表. R GND的 功耗 (当V CC <0时:反向电池情况)是: P D =(-V CC ) 2 / R GND这个电阻可以共享几个不同的 HSD.请注意,这个电阻的值应该是 用公式(1)计算,其中I S(on)max 成为不同的最大通态电流之和设备.请注意,如果微处理器地不是 与器件地共同,然后R GND 将 在输入阈值中 产生移位(I S(on)max * R GND )和状态输出值.这种转变会有所不同取决于有多少个设备在打开的情况下 几个高端驱动器共享相同的R GND .如果计算的功耗导致一个大电阻或者几个器件必须共享相同的电阻器 ST建议利用解决方案2(见下文). 解决方案2: 地线中的 二极管(D GND ). 并联 一个电阻(R GND =1kΩ) D GND 如果设备将驱动感性负载.这个小信号二极管可以安全地共享几个不同的HSDs.在这种情况下,也存在地面网络会产生一个转变( j600mV)中输入阈值和状态输出值微处理器接地在设备中并不常见地面.如果多于一个HSD,这个转变不会改变共享相同的二极管/电阻网络. INPUT线??中的串联电阻也需要防止即在电池电压瞬变期间,电流超过绝对最大额定值.未使用的INPUT引脚最安全的配置是离开它未连接,而未使用的SENSE引脚必须是连接到接地引脚.负载转储保护 D ld 是必要的(电压瞬态抑制器) 负载突降峰值电压超过V CC 最大直流额定值. 该如果设备将受到瞬态影响,也是如此 V CC 线大于图中所示的那些线 ISO T / R 7637/1表. V CC GND OUTPUT2目前的感觉1 D ld + 5V R 蛋白 R SENSE2
VND830ASP关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*VND830ASP中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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