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集成电路/VND830P-E
商品型号:VND830P-E

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:VND830P-E
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    VND830P-E

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181414142
  • 商品重量:0.000100kg
VND830P-E中文资料
VND830P-E中文资料第17页精选内容: VND830P-E应用信息 Doc ID 17546 Rev 2 17/27请注意,如果微处理器接地与设备接地不一致,那么 R GND 在输入阈值和状态输出中 产生移位(I S(on)max * R GND )值.这种转换取决于在多个高速计算机的情况下有多少个设备处于开启状态, 侧共享相同的R GND的 驱动程序 .如果计算出的功耗需要使用大电阻或多个器件必须共享相同的电阻,然后ST建议使用下面的3.1.2节. 3.1.2 解决方案2: 地线中 的二极管(D GND ) 如果器件正在驱动一个 电阻, 则应将 一个电阻(R GND =1kΩ)并联到D GND感性负载.这个小信号二极管可以安全地在几个不同的HSD之间共享.同样在这种情况下,地面网络的存在会在输入端产生偏移(?600 mV)阈值和状态输出值,如果微处理器接地不通用的话设备地面.如果不止一个HSD股票相同,这个转变不会改变二极管/电阻网络. INPUT和STATUS线路中的串联电阻也是必需的防止在电池电压瞬变期间电流超过绝对最大值评分.未使用的INPUT和STATUS引脚的最安全的配置是保留它们悬空. 3.2加载转储保护 如果负载突降峰值电压超过,则必须使用 Dld (电压瞬态抑制器) V CC 最大直流额定值. 如果器件受到瞬态电压的影响,也是如此 V CC 线大于表13所示的值. 3.3 MCU I / O保护 如果使用接地保护网络并在V CC 线路 上出现负瞬态 , 控制引脚被拉负. ST建议插入一个电阻(R prot )以防止单片机的I / O引脚锁定.这些电阻的值是微控制器泄漏电流之间的折衷和HSD I / O所要求的电流(输入电平兼容性)与闩锁限制微控制器I / O: -V CCpeak / I latchup≤R prot≤ ( VOHμC - V IH - V GND )/ I IHmax例对于以下情况: V CCpeak = -100V 闭锁 ≥20 mA VOHμC≥4.5 V 5K Ω≤R prot≤65kΩ .建议的值是: R prot = 10kΩ
VND830P-E关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*VND830P-E中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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