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MOS(场效应管)/IRFB4110PBF 管装
商品型号:IRFB4110PBF PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥8.93/件 (折合1管446.5元)
10~29件¥7.09/件 (折合1管354.5元)
30~99件¥6.74/件 (折合1管337元)
100~499件¥6.41/件 (折合1管320.5元)
500 件以上¥6.26/件 (折合1管313元)
已售出: 7950件 (1管有50件) 货期:1天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:8394 件(可订货)

  • 商品名称:IRFB4110PBF 管装
  • 商品品牌:IR
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    IRFB4110PBF

  • 封装规格:TO-220(TO-220-3)
  • 商品编号:B1061464
  • 商品重量:0.000100kg
IRFB4110PBF中文资料
优点 l 改进门,雪崩和动态dv / dt耐用性 l 完全表征电容和雪崩 SOA l 增强体二极管dV / dt和dI / dt能力 l 无铅 l 符合RoHS标准,无卤素 HEXFET? 功率MOSFET应用 l SMPS高??效同步整流 l 不间断电源 l 高速电源切换 l 硬开关和高频电路 GD小号门排水资源绝对最大额定值符号参数单位 I D @ T C = 25°C连续漏极电流,VGS @ 10V(硅有限公司)一个 I D @ T C = 100℃ 连续漏极电流,V GS @ 10V(硅有限公司) I D @ T C = 25°C 连续漏极电流,V GS @ 10V(Wire Bond Limited) 我 DM脉冲漏极电流 e P D @ T C = 25℃最大耗散功率 w ^线性降额系数厕所 V GS门到源电压 V的dv / dt峰值二极管恢复 F V / NS T J操作结和 C T STG存储温度范围焊接温度10秒 (1.6mm起)安装扭矩,6-32或M3螺丝雪崩特征 E AS(热限制)单脉冲雪崩能量 ?兆焦耳 我 AR雪崩电流广告一个 E AR重复雪崩能源 G兆焦耳热阻符号参数典型.最大.单位 RθJC结到外壳 ? --- 0.402 RθCS表壳,平面润滑表面 0.50 --- °C / W RθJA结到环境 ? --- 62 300最大. 180 ? 130 ? 670 120 190参见图14,图15,图22a,图22b 370 5.3 -55至+ 175 ±20 2.5 10磅新(1.1Nxm) IRFB4110PbF小号 e G TO-220AB e小号 e G形成数量 IRFB4110PbF TO-220管 50 IRFB4110PbF基本零件号包装类型标准包装订购部件号 1 www.irf.com? 2014 International Rectifier提交数据表反馈 2014年4月28日 V DSS 100V R DS(on) typ. 3.7米 Ω最大. 4.5米 Ω 我 (硅有限公司) 180A c I D(包装有限公司) 120A
irfb4110pbf关联型号
机译版中文资料(1/9) 英文原版数据手册(1/9)

*irfb4110pbf中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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