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MOS(场效应管)/IRFP4568PBF 管装
商品型号:IRFP4568PBF PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥20.62/件 (折合1管515.5元)
10~29件¥17.67/件 (折合1管441.75元)
30~99件¥17.14/件 (折合1管428.5元)
100~499件¥16.6/件 (折合1管415元)
500 件以上¥16.36/件 (折合1管409元)
已售出: 8047件 (1管有25件) 货期:1天
数量:
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  • 商品名称:IRFP4568PBF 管装
  • 商品品牌:IR
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    IRFP4568PBF

  • 封装规格:TO-247(AC)
  • 商品编号:B1061386
  • 商品重量:0.001000kg
IRFP4568PBF中文资料
08年9月8日 www.irf.com 1 IRFP4568PbF PD - 96175 HEXFET? 功率MOSFET小号 e G优点 l 改进门,雪崩和动态dV / dt耐用性 l 完全表征电容和雪崩 SOA l 增强体二极管dV / dt和dI / dt能力 l 无铅应用 l SMPS高??效同步整流 l 不间断电源 l 高速电源切换 l 硬开关和高频电路 GD小号门排水资源 V DSS 150V R DS(on) typ. 4.8米:最大. 5.9米: 我 (硅有限公司) 171 TO-247AC IRFP4568PbF小号 e G e绝对最大额定值符号参数单位 I D @ T C = 25°C 连续漏极电流,V GS @ 10V(硅有限公司) I D @ T C = 100℃ 连续漏极电流,V GS @ 10V(硅有限公司) 我 DM脉冲漏极电流 ? P D @ T C = 25℃最大耗散功率 w ^线性降额系数厕所 V GS门到源电压 V的dv / dt峰值二极管恢复 ? V / NS T J操作结和 T STG存储温度范围焊接温度10秒 (1.6mm起)安装扭矩,6-32或M3螺丝雪崩特征 E AS(热限制)单脉冲雪崩能量 e兆焦耳 我 AR雪崩电流加上?一个 E AR重复雪崩能源 F兆焦耳热阻符号参数典型.最大.单位 RθJC结到案例j --- 0.29 RθCS表壳,平面润滑表面 0.24 --- RθJA结到环境ij --- 40 -55至+ 175 ±30 3.45 10磅新(1.1Nxm)最大. 171 121 684一个 C °C / W 300 763参见图14,15,22a,22b, 517 18.5
irfp4568pbf关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*irfp4568pbf中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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