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KC2520B24.0000C10E00 KC2520B24.0000C10E00
特征 ?微型陶瓷封装 2.5(L)×2.0(W)×0.7(H)MM(TYP.) ?缝焊高度可靠 ?CMOS输出 ?电源电压V CC = 1.8V / 2.5V / 3.3V兼容低电源消耗 ?宽工作电压范围1.6至3.63V表格1频率.托尔.操作温度范围(°C)注意码 ×10 -6 0 ±50 -10到+70标准规格小号 ±30只有一定的频率 ü ±25 F ±100 -40到+85 G ±50如何订购 KC2520B 25.0000 C 1 0 E 00...
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KBPC2510 KBPC2510
KBPC2500 - KBPC2510 SILICON BRIDGE RECTIFIERS PRV:50 - 1000伏特 IO:25安培特征 : *高电流能力 *高浪涌电流能力 * 高可靠性 *低反向电流 *低正向压降机械数据: *案例:金属案例 *环氧树脂:UL94V-O速率阻燃剂 *端子:电镀.25“(6.35 MM).FASTON *极性:标记在案件上的极性符号 *安装位置:用螺栓固定在散热器上...
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KBPC5006 KBPC5006
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KBJ1000 KBJ1000
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KSZ8041TL KSZ8041TL
KSZ8041TL中文资料第34页精选内容:麦克雷尔公司 KSZ8041TL / FTL / MLL 2009年12月 34 M9999-120909-1.2 LINKMD ? 电缆诊断 LINKMD ? 功能利用时域反射计(TDR)分析布线设备的常见布线问题,如开路,短路和阻抗失配. LINKMD ? 通过向MDI和MDI-X对发送已知振幅和持续时间的脉冲并进行分析来工作反射信号的形状.定时脉冲持...
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KSZ8721B KSZ8721B
KSZ8721B中文资料第16页精选内容: KS8721B / BT麦克雷尔公司 M9999-030106 16 2006年3月能源管理 KS8721B / BT提供以下电源管理模式: ?掉电模式:该模式可以通过写入寄存器0.11或拉引脚30 PD#低来实现. ?省电模式:通过写入寄存器1FH.10可以禁止该模式.然后KS8721B / BT将转向当没有安装电缆时,关闭能量检测和PLL电...
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KSC5021 KSC5021
KSC5021中文资料第1页精选内容: INCHANGE SEMICONDUCTOR产品规格硅NPN功率晶体管 KSC5021描述 · ·采用TO-220C封装 ·高电压和高可靠性 ·高速切换 ·广泛的安全操作区域钉扎销描述 1基础 2收藏家;连接到安装基座 3发射 绝对最大额定值(TA = 25 ℃)符号参数条件值单元 V CBO...
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KSD363 KSD363
INCHANGE半导体 ISC 产品规格 ISC 硅NPN功率晶体管 KSD363描述 ·集电极 - 基极击穿电压 - :V (BR)CBO = 300V(最小) ·集电极电流 - I C = 6A ·集电极功耗 - :P C = 40W @ T C = 25 ℃应用 ·专为黑白电视水平偏转输出应用而设计. 绝对最大额定值(T A = 25 ℃)符号参数值单元 V CBO集电极 - 基极电压 300 V V CEO集电...
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KSZ8841-PMQLI KSZ8841-PMQLI
KSZ8841-PMQLI中文资料第24页精选内容:麦克雷尔公司 KSZ8841-PMQL 2007年10月 24 M9999-100407-1.5主机通信描述符列表和数据缓冲区统称为主机通信,管理相关的操作和状态缓冲管理.控制KSZ8841-PMQL功能操作的命令和信号也是如此描述. KSZ8841-PMQL和驱动程序通过两种数据结构进行通信:命令和状态寄存器 (CSR)和...
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KSZ8893MBLI KSZ8893MBLI
KSZ8893MBLI中文资料第39页精选内容:麦克雷尔公司 KSZ8893MQL / MBL 2010年2月 39 M9999-021110-1.6延期状态.如果端口在背压情况下有??数据包要发送,则载波侦听类型反压被中断,而这些数据包被传输.如果没有其他数据包要发送,载波感应型背压再次重新激活,直到开关资源释放.如果发生碰撞,则为二进制指数...
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