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晶体管/场效应管(MOSFET)/2N7002P,215 编带

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  • 海外库存:999670 个(一盘有3000个)
    货期:7-15天发货
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  • E络盟库存:364648 个(一盘有3000个)
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  • TME库存:20374 个(一盘有3000个)
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  • 2N7002P,215
    不适用于新设计
    SOT-23(SOT-23-3)
    2N7002P,215DATASHEET
    L20173685
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Nexperia(安世)
    封装 SOT-23(SOT-23-3)
    包装
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 360mA(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 1.6Ω@500mA,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.4V@250UA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 50pF@10V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 350mW(Ta)
    产品应用 汽车级
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.8nC@4.5V
    供应商器件封装 TO-236AB
    封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
    等级 AEC-Q100
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