商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | AOS(美国万代) | |
封装 | SOIC-8 | |
包装 | 圆盘 | |
FET类型 | N通道 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 16.5A(Ta) | |
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) | 4.5V,10V | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 6.5mΩ@16.5A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.2V@250UA | |
Vgs(最大值) | ±20V | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1652pF@30V | |
FET功能 | - | |
功率耗散(最大值) | 3.1W(Ta) | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 25nC@4.5V | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) |