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晶体管/场效应管(MOSFET)/AO4435

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    在售
    SOIC-8_150mil
    AO4435DATASHEET
    L19101712305
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 AOS(美国万代)
    封装 SOIC-8_150mil
    包装 圆盘
    FET类型 P通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 30V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 10.5A(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 5V,20V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 14mΩ@11A,20V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V@250UA
    Vgs(最大值) ±25V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1400pF@15V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 3.1W(Ta)
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 24nC@10V
    供应商器件封装 8-SOIC
    封装/外壳 8-SOIC(0.154",3.90mm宽)
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