BC848B中文资料第5页精选内容： 2004年2月06日五

BC848B中文资料第5页精选内容： 2004年2月06日五飞利浦半导体产品SPECI FI CATION NPN通用晶体管 BC846; BC847; BC848手册，HALFPAGE MGT723 10 -1 110 10 2 10 3 IC（MA） 0 400 300 200 100 HFE的 （1） （2） （3）图2 DC电流增益作为集电极的函数当前;典型值. BC846A; V CE = 5V. （1）T AMB = 150℃. （2）T AMB = 25℃. （3）T AMB = -55℃.手册，HALFPAGE MGT724 10 -1 110 10 2 10 3 IC（MA） 0 1200 1000 800 600 400 200 VBE （毫伏） （1） （2） （3）图3基极 - 发射极电压是一个函数集电极电流;典型值. BC846A; V CE = 5V. （1）T AMB = -55℃. （2）T AMB = 25℃. （3）T AMB = 150℃.手册，HALFPAGE 10 3 10 2 10 MGT725 10 -1 110 10 2 10 3 IC（MA） VCESAT （毫伏） （1） （2） （3）图4集电极发射极饱和电压为集电极电流功能;典型值. BC846A; 我 C / I B = 20. （1）T AMB = 150℃. （2）T AMB = 25℃. （3）T AMB = -55℃.手册，HALFPAGE MGT726 10 -1 110 10 2 10 3 IC（MA） 0 1200 1000 800 600 400 200 VBESAT （毫伏） （1） （2） （3）图5基极发射极饱和电压为集电极电流功能;典型值. BC846A; 我 C /我 B = 10. （1）T AMB = -55℃. （2）T AMB = 25℃. （3）T AMB = 150℃.