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集成电路/DS2045Y-70
商品型号:DS2045Y-70

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品牌:DALLAS
封装:-
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  • 商品名称:DS2045Y-70
  • 商品品牌:DALLAS
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    DS2045Y-70

  • 封装规格:-
  • 商品编号:CYDOM185120259
  • 商品重量:0.000100kg
DS2045Y-70中文资料
DS2045Y-70中文资料第3页精选内容: DS2045Y / AB单件1MB非易失性SRAM _____________________________________________________________________ 3掉电/上电时序 (T A = -40 °C至+ 85°C)参数符号条件 MIN TYP MAX单位 V CC 失败检测到CE和WE无效 T PD (注7) 1.5微秒 V CC 从V TP 转换 到0V T F 150微秒 V CC 从0V转换到V TP T R 150微秒 V CC 适用于CE和WE无效 T PU 2MS V CC 有效到写保护结束 T REC 125女士 V CC 失败检测到RST活动 T RPD (注1) 3.0微秒 V CC 有效至RST无效 T RPU (注1) 225 350 525女士数据保留 (T A = + 25 C)参数符号条件 MIN TYP MAX单位预期数据保留时间(每次收费) T DR (注8) 2 3年份交流电特性 ( 对于DS2045AB, V CC = 5V±5%,对于DS2045Y,V CC = 5V±10%,T A = -40 °C至+ 85°C). DS2045AB-70 DS2045Y-70 DS2045AB-100 DS2045Y-100参数符号条件 MIN MAX MIN MAX单位读取周期时间 T RC 70 100 NS访问时间 ACC 70 100 NS OE输出有效 OE 35 50 NS CE输出有效 吨 CO 70 100 NS OE或CE输出活动 T COE (笔记2)五五 NS输出高阻抗取消选择 T OD (笔记2) 25 35 NS输出从地址更改保持 T OH 55 NS写周期时间 T WC 70 100 NS写脉冲宽度 T WP (注3) 55 75 NS地址建立时间 T AW 00 NS WR1 (注4)五五写入恢复时间 WR2 (注5) 15 15 NS从WE输出高阻抗 T ODW (笔记2) 25 35 NS从WE输出活动 T OEW (笔记2)五五 NS数据建立时间 T DS (注6)三十 40 NS DH1 (注4) 0 0数据保持时间 DH2 (注5) 10 10 NS
DS2045Y-70关联型号
机译版中文资料(2/10) 英文原版数据手册(2/10)

*DS2045Y-70中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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