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集成电路/EVAL-AD5142DBZ
商品型号:EVAL-AD5142DBZ

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品牌:ADI(亚德诺)
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  • 商品名称:EVAL-AD5142DBZ
  • 商品品牌:ADI(亚德诺)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    EVAL-AD5142DBZ

  • 封装规格:-
  • 商品编号:ADI1811505165
  • 商品重量:0.000100kg
EVAL-AD5142DBZ中文资料
EVAL-AD5142DBZ中文资料第9页精选内容:数据表 AD5122 / AD5142 Rev. 0 |第9页,共32页接口时序规范 V LOGIC = 1.8 V至5.5 V; 所有规格T MIN 到T MAX ,除非另有说明.表4. SPI接口参数1测试条件/评论敏典型马克斯单元描述 ? 1 V 逻辑 > 1.8 V 20 NS SCLK周期时间 V 逻辑 = 1.8 V三十 NS ? 2 V 逻辑 > 1.8 V 10 NS SCLK高时间 V 逻辑 = 1.8 V 15 NS ? 3 V 逻辑 > 1.8 V 10 NS SCLK低时间 V 逻辑 = 1.8 V 15 NS ? 4 10 NS SYNC到SCLK下降沿建立时间 ?五五 NS数据建立时间 ? 6五 NS数据保存时间 ? 7 10 NS SYNC上升沿到下一个SCLK下降被忽略 ? 8 2 20 NS最小SYNC高电平时间 ? 9 3 50 NS SCLK上升沿到SDO有效 ? 10 500 NS SYNC上升沿到SDO引脚禁用 1 所有输入信号都用t指定 r = t f = 1ns / V(V DD的 10%至90% )并且从(V IL + V IH )/ 2 的电压电平开始计时 . 2 参考t EEPROM_PROGRAM 和t EEPROM_READBACK 用于存储器命令操作(见表5). 3 R 对于 电容负载为168 pF的 V DD , PULL_UP = 2.2kΩ .表5.控制引脚参数敏典型马克斯单元描述 ? 1 0.1 10微秒重置时间较短 t EEPROM_PROGRAM1 15 50女士存储器编程时间(图5中未显示) t EEPROM_READBACK 7三十微秒内存回读时间(图5中未显示) ?充电 2 75微秒启动时间(图5中未显示) ?重启三十微秒重置EEPROM恢复时间(图5中未显示) 1 EEPROM的编程时间取决于温度和EEPROM写周期. 较高的时间预计在较低的温度和较高的写入周期. 2 V后的最大时间 DD - V SS 等于2.3 V.
EVAL-AD5142DBZ关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*EVAL-AD5142DBZ中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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