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晶体管/MOS(场效应管)/IRF5305STRLPBF 编带
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  • 商品分类
  • MOS(场效应管)
  • 品牌
  • IR
  • 封装
  • TO-263-2
  • 包装
  • 漏源电压(Vdss)
  • 55V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)
  • 31A
  • 栅源极阈值电压
  • 4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻
  • 60mΩ @ 16A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)
  • 3.8W
  • 类型
  • P沟道
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    IRF5305STRLPBF关联型号
    • 暂无
    IRF5305STRLPBF中文资料

    IRF6775MTR1PBF中文资料第7页精选内容: IRF

    IRF6775MTR1PBF中文资料第7页精选内容: IRF4905S / L WWW.IRF.COM 7图15.典型雪崩电流与脉冲宽度图16.最大雪崩能量比.温度关于重复性雪崩曲线的注释,图15,16: (更多信息,请参阅WWW.IRF.COM上的AN-1005) 1.雪崩故障假设:纯粹的热现象和故障发生在A 温度远远超过T JMAX . 这是验证的每个部件类型. 2.只要T JMAX 为, 就允许在雪崩中安全工作没有超过. 3.下面的等式基于电路和波形显示图12A,12B. 4. P D(AVE) =每个单位的平均功耗雪崩脉冲. 5. BV =额定击穿电压(1.3因素考虑在雪崩期间电压升高). 6.我 AV =允许雪崩电流. 7. ΔT = 结温允许上升,不超过 T JMAX (在图15,16中假设为25°C). T AV = 雪崩的平均时间. D =雪崩的占空比= T AV ·F Z THJC (D,T AV )=瞬态热阻,见图11) P D(AVE) = 1/2(1.3·BV·I AV )= DT / Z THJC I AV = 2DT / [1.3·BV·Z TH ] E AS(AR) = P D(AVE) ·T AV 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01每秒(秒) 0.1 1 10 100 1000 0.05占空比=单脉冲 0.10允许雪崩电流与雪崩脉宽, TAV假设 ΔTJ= 25°C由于雪崩损失.注:在第应该允许TJ的情况超过TJMAX 0.01 25 50 75 100 125 150开始TJ,结温(°C) 0 40 80 120 160最佳单脉冲底部1%占空比 ID = -42A

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