您当前的位置: 首页 > 晶体管 > MOS(场效应管) > IRF740PBF 管装
晶体管/MOS(场效应管)/IRF740PBF 管装
  • 商品名称:
  • 商品型号:
  • 数据手册:
  • 品牌:
  • 封装规格:
  • 商品类别:
  • 二级分类:
  • 商品批号:
  • 货期:
  • 商品编号:
  • 商品重量:
  • - +
  •  
  • 立即购买 加入购物车
  • 梯度
  • 含税价格
  • 1~9件
  •  ¥ 5.2445
  • 10~29件
  •  ¥ 3.6973
  • 30~99件
  •  ¥ 3.4008
  • 100~499件
  •  ¥ 3.041
根据勾选的参数属性查找商品。
根据勾选的参数属性,为您找到 0 个类似商品 点击查看
根据勾选的参数属性,没有为您找到类似商品。
  • 商品分类
  • MOS(场效应管)
  • 品牌
  • IR
  • 封装
  • TO-220(TO-220-3)
  • 包装
  • 漏源电压(Vdss)
  • 400V
  • 连续漏极电流(Id)(25°C 时)
  • 10A
  • 栅源极阈值电压
  • 4V @ 250uA
  • 漏源导通电阻
  • 550mΩ @ 6A,10V
  • 最大功率耗散(Ta=25°C)
  • 125W
  • 类型
  • N沟道
  • 数据手册下载
    IRF740PBF关联型号
    • 暂无
    IRF740PBF中文资料

    IRF740PBF中文资料第1页精选内容: HEXFET? 功率MOSFET PD - 95724升第五代技术升超低导通电阻升 N通道MOSFET升表面贴装升可用卷带包装升动态DV / DT额定值升快速切换升无铅描述 INTERNATIONAL RECTIFIER的第五代HEXFET利用先进的加工技术来实现尽可能降低每个硅片面积的导通电阻.这个好处,结合快速切换速度和 HEXFET POWER的坚固耐用的器件设计 MOSFET是众所周知的,为设计者提供用一个非常有效的设备广泛使用各种应用程序. SO-8已经通过定制进行了修改用于增强热特性的引线框架多芯片功能使其成为各种应用的理想选择 POWERAPPLICATIONS. WITHTHESEIMPROVEMENTS,多设备可以在应用程序中显着使用减少电路板空间.该包是专为蒸汽相,红外线或波峰焊技术.功耗大于0.8W是可能的一个典型的PCB安装应用. IRF7401PBF SO-8 V DSS = 20V R DS(ON) =0.022Ω参数最大.单位 I D @ T A = 25°C 10秒 脉冲漏电流,V GS @ 4.5V 10 I D @ T A = 25°C 漏极连续电流,V GS @ 4.5V 8.7 I D @ T A = 70°C 漏极连续电流,V GS @ 4.5V 7 我是 DM脉冲漏电流 35 P D @T A = 25°C功耗 2.5 W ^线性降额因子 0.02厕所 V GS栅源电压 ±12 V的DV / DT峰值二极管恢复DV / DT, 5 V / NS T J, T STG结温和存储温度范围 -55到+ 150 C绝对最大额定值一个顶视图 8 1 2 3 4五 6 7 D D D D G小号一个小号小号一个 04年8月10日热阻额定值参数典型.最大.单位 RθJA最大结点到环境“ --- 50 °C / W

    隐藏


    1

    您还可以继续添加对比商品

    2

    您还可以继续添加对比商品

    3

    您还可以继续添加对比商品

    温馨提示:
    订单商品问题请移至我的售后服务提交售后申请,其他需投诉问题可移至我的投诉提交,我们将在第一时间给您答复
    返回顶部