商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | Infineon(英飞凌) | |
封装 | SOIC-8 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 10A,12A | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 9.3mΩ@12A,10V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 2.55V@250UA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 900pF@10V | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 11nC@4.5V | |
功率-最大值 | 2W | |
配置 | 2N-通道(双) | |
供应商器件封装 | 8-SO | |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm宽) |