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晶体管/场效应管(MOSFET)/IRLML2060TRPBF

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    在售
    SOT23
    ZH2022053000017
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 Infineon(英飞凌)
    封装 SOT23
    FET类型 N通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 1.2A(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4.5V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 480mΩ@1.2A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 2.5V@25UA
    Vgs(最大值) ±16V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 64pF@25V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 1.25W(Ta)
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 0.67nC@4.5V
    供应商器件封装 Micro3/SOT-23
    封装/外壳 TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
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