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MOS(场效应管)/IRLML6402TRPBF 编带
商品型号:IRLML6402TRPBF PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9片¥0.92/片 (折合1盘2760元)
10~29片¥0.63/片 (折合1盘1890元)
30~99片¥0.572/片 (折合1盘1716元)
100~499片¥0.52/片 (折合1盘1560元)
500 片以上
已售出: 4842片 (1盘有3000片) 货期:2-4天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:83542 片(可订货)

  • 商品名称:IRLML6402TRPBF 编带
  • 商品品牌:IR
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    IRLML6402TRPBF

  • 封装规格:SOT-23(SOT-23-3)
  • 商品编号:B1000944
  • 商品重量:0.000100kg
IRLML6402TRPBF中文资料
<a href = "/items/irlml6402trpbf-cn-1-id-1389.html">IRLML6402TRPBF</a>中文资料第1页精选内容:参数典型.最大.单位 RθJA最大结到环境 ? 75 100 °C / W IRLML6402 HEXFET? 功率MOSFET INTERNATIONAL RECTIFIER的这些P沟道MOSFET使用先进的处理技术,以实现极低的ON-每个硅面积的电阻.这个好处,加上快速 开关速度和坚固耐用的HEXFET?器件设计功率MOSFET是众所周知的,为设计者提供了一个非常有效和可靠的设备用于电池和负载管理.已经加入了散热增强的大型焊盘引线框架进入标准的SOT-23封装以生产HEXFET电源 MOSFET具有业界最小的尺寸.这个包,被称为MICRO3 ?,是印刷应用的理想选择电路板空间非常重要.低调(&AMP;LT;1.1毫米)的MICRO3允许它轻松地适合极其薄的应用诸如便携式电子设备和PCMCIA卡等环境.热阻和功耗是最好的可用.热阻 V DSS = -20V R DS(ON) =0.065Ω L 超低导通电阻 L P沟道MOSFET L SOT-23封装 L 低调(&AMP;LT;1.1MM) L 提供卷带式 L 快速切换描述 04年8月11日 WWW.IRF.COM 1小号 D G PD - 93755C参数最大.单位 V DS漏源电压 -20 V I D @ T A = 25°C 连续漏极电流,V GS @ -4.5V -3.7 I D @ T A = 70°C 连续漏极电流,V GS @ -4.5V -2.2一个 我是 DM脉冲漏电流 -22 P D @T A = 25°C功耗 1.3 P D @T A = 70°C功耗 0.8线性降额因子 0.01厕所 E AS单脉冲雪崩能量 “ 11兆焦耳 V GS栅源电压 ±12 V T J, T STG结温和存储温度范围 -55到+ 150 C绝对最大额定值 W ^ MICRO3 ?
IRLML6402TRPBF关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*IRLML6402TRPBF中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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