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晶体管/场效应管(MOSFET)/RSD140P06TL 编带

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  • RSD140P06TL
    不适用于新设计
    TO-252-2
    RSD140P06TLDATASHEET
    ATC62180
    商品分类 场效应管(MOSFET)
    品牌 ROHM(罗姆)
    封装 TO-252-2
    包装
    FET类型 P通道
    技术 MOSFET(金属氧化物)
    漏源电压(Vdss) 60V
    25℃时电流-连续漏极(Id) 14A(Ta)
    驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn) 4V,10V
    不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) 84毫欧@14A,10V
    不同Id时Vgs(th)(最大值) 3V@1mA
    Vgs(最大值) ±20V
    不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 1900pF@10V
    FET功能 -
    功率耗散(最大值) 20W(Tc)
    工作温度 150℃(TJ)
    基本产品编号 RSD140
    不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 27nC@10V
    HTSUS 8541.29.0095
    ECCN EAR99
    REACH状态 REACH产品
    湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
    RoHS状态 符合ROHS3规范
    安装类型 表面贴装型
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