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处理器及微控制器/ST(意法半导体)/STM8S003F3P6TR 编带
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  • 商品分类
  • ST(意法半导体)
  • 品牌
  • ST(意法半导体)
  • 封装
  • TSSOP-20
  • 包装
  • 额外特性
  • -
  • UART/USART
  • 1 USART
  • SPI
  • 1
  • PWM
  • 3
  • I2C(SMBUS/PMBUS)
  • 1
  • 工作电压
  • 2.95V ~ 5.5V
  • EEPROM 尺寸
  • 128Bytes
  • A/D
  • 5x10bit
  • CPU位数
  • 8-Bit
  • CPU内核
  • STM8
  • ROM尺寸
  • 8KB
  • RAM大小
  • 1KB
  • 主频(MAX)
  • 16MHz
  • ROM类型
  • FLASH
  • I/O 数
  • 16
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    STM8S003F3P6TR关联型号
    • 暂无
    STM8S003F3P6TR中文资料

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    STM8S003F3P6TR中文资料第11页精选内容:游泳单线接口模块,用于直接访问调试模块和存储器编程.该界面可以在所有设备操作模式下激活.最大的数据传输速度是145字节/毫秒.调试模块非侵入式调试模块的性能接近全功能模拟器.除了存储器和外设之外,还可以通过手段实时监控CPU操作影子寄存器. ? 实时读/写RAM和外设寄存器 ? 通过停止CPU对R / W访问所有资源 ? 所有程序存储器指令(软件断点) ? 两个高级断点,23个预定义配置中断控制器 4.3 ? 具有三个软件优先级的嵌套中断 ? 具有硬件优先级的32个中断向量 ? 包括TLI在内的6个矢量最多可以有27个外部中断 ? 陷阱和复位中断闪存程序存储器和数据EEPROM 4.4 ? 8 KB闪存程序单电压闪存 ? 128字节的真正的数据EEPROM ? 用户选项字节区域写保护(WP)提供闪存程序存储器和数据EEPROM的写保护,以避免意外覆盖可能由用户软件故障导致的内存.有两个级别的写保护.第一级被称为MASS(内存访问)保安系统).总是使能MASS并保护主Flash程序存储器,数据EEPROM和选项字节.要执行应用程序内编程(IAP),可以通过写入来删除写保护控制寄存器中的MASS键序列.这允许应用程序修改内容主程序存储器和数据EEPROM,或重新编程设备选项字节.第二级写保护可以被启用以进一步保护特定区域的存储器被称为UBC(用户启动代码).请参阅下图. UBC的大小可通过UBC选项字节进行编程,增量为1页 (64字节块),在ICP模式下编程UBC选项字节.这将程序存储器分成两个区域: ? 主程序存储器:8 KB减去UBC ? 用户特定的启动代码(UBC):最多可配置为8 KB UBC区域在应用程序编程期间保持写保护.这意味着 MASS键不能解锁UBC区域.它保护用于存储引导的内存一百分之十一 DocID018576修订版3产品概述 STM8S003K3 STM8S003F3

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