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存储器/FLASH存储器/W29GL032CB7S 托盘
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  • 商品分类
  • FLASH存储器
  • 品牌
  • WINBOND(华邦)
  • 封装
  • TSOP-48
  • 包装
  • 托盘
  • 存储器构架(格式)
  • FLASH
  • 存储器接口类型
  • Parallel
  • 存储器容量
  • 32Mb (4M x 8, 2M x 16)
  • 工作电压
  • 2.7V ~ 3.6V
  • 存储器类型
  • Non-Volatile
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    W29GL032CB7S关联型号
    • 暂无
    W29GL032CB7S中文资料

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    W29GL032C中文资料第20页精选内容: W29GL032C 14 7.2.20增强型变量IO( E VIO )控制 增强型变量IO(E VIO )控制允许主机系统设置电压等级 设备会在所有输入和输出(地址,控制和DQ信号)上生成并容忍这些信号. E VIO V CC的 范围是1.65 . 例如, 1.65-3.6伏特 的E VIO 允许1.8或3伏特的I / O,驱动和接收与同一数据总线上的其他1.8或3 V设备进出信号. 7.2.21硬件数据保护选项硬件数据保护是W29GL032提供的两个主要扇区保护中的第二个. 7.2.21.1 #WP / ACC选项 通过将#WP / ACC引脚设置为V IL ,可以保护最高或最低的扇区(特定于设备)擦除/编程操作.如果#WP / ACC被设置为高,则最高和最低的扇区将恢复到先前受保护/不受保护的状态. 注:如果 器件插入时 #WP / ACC引脚处于V IH ,则最大输入负载电流可能会增加待机模式. 7.2.21.2 VCC写保护 当V CC 小于V WPT (VCC写保护) 时,该器件将不接受任何写指令阈)).这可以防止数据在上电,掉电期间无意中被更改 暂时的电力损失或V CC 的低水平 . 如果V CC 低于V WPT, 则器件自动 复位自身并将忽略写入周期,直到V CC 大于V WPT . 一旦V CC 上升到V WPT 以上 ,确保正确的信号在控制引脚上,以避免意外编程或擦除操作. 7.2.21.3写入脉冲“毛刺”保护小于5NS的脉冲被视为控制信号#CE,#WE和#OE的毛刺,不会是考虑有效的写周期. 7.2.21.4上电写入禁止如果器件上电,器件将忽略#WE上升沿的第一条指令, #WE和#CE设置为V IL ,#OE设置为V IH . 7.2.21.5逻辑抑制 当#CE处于V IH ,#WE处于V IH 或#OE处于V IL 时,写周期将被忽略 . 有效的写周期 要求#CE和#WE都在V IL ,并且在V IH时 有#OE . 7.2.22固有数据保护设备内置机制将在上电时重置为读取模式,以避免意外删除或节目. 7.2.22.1指令完成无效的指令集

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