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MOS(场效应管)/AO4485 编带
商品型号:AO4485 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9个¥2.19/个 (折合1盘6570元)
10~29个¥1.49/个 (折合1盘4470元)
30~99个¥1.36/个 (折合1盘4080元)
100~499个¥1.1/个 (折合1盘3300元)
500 个以上
已售出: 8505个 (1盘有3000个) 货期:2-4天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:24059 个(可订货)

  • 商品名称:AO4485 编带
  • 商品品牌:AOS
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    AO4485

  • 封装规格:SOP-8_150mil
  • 商品编号:ATC51499
  • 商品重量:0.000300kg
AO4485中文资料
AO4485中文资料第2页精选内容: AO4485符号敏典型马克斯单位 BV DSS -40 V -1 T J = 55℃ -5 我是 GSS ±100 NA的 V GS(TH) -1.7 -1.9 -2.5 V 我 D(ON) -120一个 12.5 15 T J = 125℃ 19 23 16 20 G FS 25小号 V SD -0.7 -1 V 我 S -3一个 C ISS 2500 3000 PF的 C OSS 260 PF的 C RSS 180 PF的 R G 2.5 4 6 Ω Q G (10V) 42 55 NC Q G (4.5V) 18.6 NC Q GS 7 NC Q GD 8.6 NC T D(上) 9.4 NS T R 20 NS T D(关) 55 NS T F三十 NS T RR 38 49 NS Q RR 47 NC 0该产品已经过消费者市场的设计和认证.应用或使用至关重要生命支持设备或系统中的组件未经授权. AOS不承担任何责任出于此类应用或使用其产品. AOS保留改进产品设计的权利,功能和可靠性,恕不另行通知.关于状态漏极电流 I D =-250μA,V GS = 0V V GS = -10V,V DS = -5V V DS = -40V,V GS = 0V V DS = 0V,V GS =±20V零栅极电压漏极电流门体泄漏电流身体二极管反向恢复时间 体二极管反向恢复电荷I F = -10A,DI / DT = 100A /μS V GS = -10V,I D = -10A反向传输电容 I F = -10A,DI / DT = 100A /μS静态漏源导通电阻二极管正向电压 V GS = -4.5V,I D = -8A米 Ω门限电压 V DS = V GS I D =-250μA 电气特性(T J = 25°C除非另有说明)静态参数参数条件 我 DSS R DS(ON)漏源击穿电压关闭延迟时间 V GS = -10V,V DS = -20V, R L =2Ω,R GEN =3Ω关闭下降时间开启DELAYTIME开启上升时间门源电荷门排水费 μA总门电荷 V GS = -10V,V DS = -20V,I D = -10A输出电容 I S = -1A,V GS = 0V V DS = -5V,I D = -10A正向跨导门阻力开关参数动态参数最大体二极管连续电流总门电荷 V GS = 0V,V DS = 0V,F = 1MHZ V
机译版中文资料(1/4) 英文原版数据手册(1/4)

*ao4485中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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