| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | AOS(美国万代) | |
| 封装 | SOP-8_150mil | |
| 包装 | 盘 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 6A（Ta）,6.5A（Ta） | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 30mOhm@6A,10V,28mOhm@6.5A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 2.4V@250UA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 310pF@15V,760pF@15V | |
| FET功能 | 标准 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 6nC@10V,16nC@10V | |
| 功率-最大值 | 2W | |
| 配置 | N和P沟道互补型 | |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154",3.90mm宽） |
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