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MOS(场效应管)/AO8810 编带
商品型号:AO8810 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥1.32/件 (折合1盘3960元)
10~29件¥0.9/件 (折合1盘2700元)
30~99件¥0.82/件 (折合1盘2460元)
100~499件¥0.74/件 (折合1盘2220元)
500 件以上
已售出: 5955件 (1盘有3000件) 货期:2-4天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:5318 件(可订货)

  • 商品名称:AO8810 编带
  • 商品品牌:AOS
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    AO8810

  • 封装规格:TSSOP-8_3x4.4x065P
  • 商品编号:B1061362
  • 商品重量:0.000152kg
AO8810中文资料
<a href = "/items/ao8810-cn-1-id-11993.html">AO8810</a>中文资料第1页精选内容: AO8810 20V共漏双路N沟道MOSFET一般描述产品摘要 V DS I D (在V GS = 4.5V时) 7A R DS(ON) (V GS = 4.5V时) &AMP;LT;20米 Ω R DS(ON) (V GS = 4.0V时) &AMP;LT;20.5米 Ω R DS(ON) (在V GS = 3.1V时) &AMP;LT;21.5米 Ω R DS(ON) (在V GS = 2.5V时) &AMP;LT;23米 Ω R DS(ON) (在V GS = 1.8V时) &AMP;LT;28米 Ω ESD保护符号 AO8810采用先进的沟槽技术提供 优异的R DS(ON) ,低栅极电荷. 它受ESD保护.此设备适合用作单向或双向开关,双向负载开关,由其共漏极促进组态.最大单位参数 除非另有说明, 绝对最大额定值T A = 25°C 20V TSSOP8顶视图底视图 PIN 1 G1 S1 S1 D1 / D2 G2 S2 S2 D1 / D2 1 2 3 4 8 7 6五 TSSOP-8顶视图 G2 D2 S2 G1 D1 S1 1.8K Ω 1.8K Ω符号 V DS V GS 我是 DM T J ,T STG符号 T≤10S稳定状态稳定状态 RθJL C热特性功耗乙 P D. T A = 25℃ W ^ 1.0 T A = 70℃结温和存储温度范围 -55至150参数典型马克斯 °C / W RθJA 64 89 83最大结到环境一个单位 V ±8门源电压漏源电压 20 V最大单位参数 T A = 25℃ T A = 70℃脉冲漏电流 C连续排水当前一个 我 D 7 5.7 25 1.5最大结点到导线 °C / W °C / W最大结到环境广告 53 120 70第8版:2012年10月 WWW.AOSMD.COM第1页,共5页
ao8810关联型号
机译版中文资料(1/5) 英文原版数据手册(1/5)

*ao8810中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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