商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
品牌 | AOS(美国万代) | |
封装 | TSSOP-8_3x4.4x065P | |
包装 | 盘 | |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
25℃时电流-连续漏极(Id) | 7A | |
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值) | 20mΩ@7A,4.5V | |
不同Id时Vgs(th)(最大值) | 1.1V@250UA | |
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) | 1295pF@10V | |
FET功能 | 逻辑电平门 | |
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) | 14nC@4.5V | |
功率-最大值 | 1.5W | |
配置 | 2N沟道(双)共漏 | |
供应商器件封装 | 8-TSSOP | |
封装/外壳 | 8-TSSOP(0.173",4.40mm宽) |