返回顶部

MOS(场效应管)/AOD403 编带
商品型号:AOD403 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥2.96/件 (折合1盘7400元)
10~29件¥2.02/件 (折合1盘5050元)
30~99件¥1.84/件 (折合1盘4600元)
100~499件¥1.48/件 (折合1盘3700元)
500 件以上
已售出: 5254件 (1盘有2500件) 货期:2-4天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:9574 件(可订货)

  • 商品名称:AOD403 编带
  • 商品品牌:AOS
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    AOD403

  • 封装规格:TO-252-2
  • 商品编号:B1061410
  • 商品重量:0.000459kg
AOD403中文资料
<a href = "/items/aod403-cn-1-id-12037.html">AOD403</a>中文资料第1页精选内容: AOD403 / AOI403 30V P沟道MOSFET一般描述产品摘要 V DS I D (在V GS = -20V时) -70A R DS(ON) (在V GS = -20V时) &AMP;LT;6.2米 Ω(&AMP;LT;6.7MΩ * ) R DS(ON) (在V GS = -10V时) &AMP;LT;8米 Ω (&AMP;LT;8.5米 Ω * ) 100%UIS测试 100%R G 已测试符号 V DS V GS V ±25门源电压漏源电压 -30 AOD403 / AOI403采用先进的沟槽技术 提供出色的R DS(ON) ,低栅极电荷和低栅极抵抗性.具有优良的耐热性 DPAK / IPAK封装,这款器件非常适合高端应用当前负载应用. V最大单位参数 除非另有说明, 绝对最大额定值T A = 25°C -30V TO252 DPAK顶视图底视图 G小号 D G小号 D G D小号 G G D D小号小号顶视图底视图 TO251A IPAK V GS 我是 DM 我 ,我是 AR E AS ,E AR T J ,T STG符号 T≤10S稳定状态稳定状态 RθJC * TO251A包装典型马克斯 T C = 25℃ 2.5 45 T C = 100℃结温和存储温度范围 -55至175 C热特性单位最大结到环境一个 °C / W RθJA 16 41 20参数 V ±25门源电压雪崩能量L = 0.1MH C兆焦耳雪崩电流 C -12一个一个 T A = 25℃ 我是 帝斯曼一个 T A = 70℃ -200脉冲漏电流 C连续排水当前 G 我 D -70 -55 T C = 25℃ T C = 100℃功耗乙 P D.连续排水当前 125 -15 -50 W ^功耗一个 P DSM W ^ T A = 70℃ 90 1.6 T A = 25℃最大结点到壳体 °C / W °C / W最大结到环境广告 0.9 50 1.6 REV.9.0:2013年7月 WWW.AOSMD.COM第1页,共6页万和兴电子有限公司WWW.WHXPCB.COM
aod403关联型号
机译版中文资料(1/6) 英文原版数据手册(1/6)

*aod403中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共6页,到第