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MOS(场效应管)/AOD409 编带
商品型号:AOD409 PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥2.28/件 (折合1盘5700元)
10~29件¥1.52/件 (折合1盘3800元)
30~99件¥1.37/件 (折合1盘3425元)
100~499件¥1.24/件 (折合1盘3100元)
500 件以上
已售出: 7363件 (1盘有2500件) 货期:2-4天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:168614 件(可订货)

  • 商品名称:AOD409 编带
  • 商品品牌:AOS
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    AOD409

  • 封装规格:TO-252-2
  • 商品编号:B1061345
  • 商品重量:0.000300kg
AOD409中文资料
符号 V DS V GS 我是 DM 我 AR E AR T J ,T STG符号典型马克斯 16.7 25 40 50 RθJC 1.9 2.5最大结点到壳体 C稳定状态 °C / W热特性参数单位最大结到环境一个 T≤10S RθJA °C / W最大结到环境一个稳定状态 °C / W W ^ T A = 70℃ 1.6结温和存储温度范围 -55至175功耗一个 T A = 25℃ P DSM 2.5一个重复雪崩能量L = 0.1MH C兆焦耳功耗乙 T C = 25℃ P D. W ^ T C = 100℃雪崩电流 C连续排水当前 G最大单位参数 T C = 25℃ T C = 100℃ 除非另有说明, 绝对最大额定值T A = 25°C 我 D门源电压漏源电压 -60脉冲漏电流 C -26 -18 -60 C V V ±20三十一个 -26 33.8 60 AOD409 / AOI409 P沟道增强型场效应晶体管特征 V DS (V)= -60V I D = -26A(V GS = -10V) R DS(ON) <40MΩ(V GS = -10V)@ -20A R DS(ON) <55MΩ(V GS = -4.5V) UIS测试! RG,CISS,COSS,CRSS经过测试一般描述 AOD / I409采用先进的沟槽技术 提供出色的R DS(ON) ,低栅极电荷和低电平门阻力.具有优异的耐热性的DPAK封装,此器件非常适合高电流负载应用. G D小号 G TO-251A IPAK顶视图小号底视图 D小号 G D D D TO252 DPAK顶视图底视图 G小号 D G小号 D ALPHA&OMEGA SEMICONDUCTOR,LTD.万和兴电子有限公司WWW.WHXPCB.COM
aod409关联型号
机译版中文资料(1/6) 英文原版数据手册(1/6)

*aod409中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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