返回顶部

MOS(场效应管)/BSS138LT1G 编带
商品型号:BSS138LT1G PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
10~99个¥0.231/个 (折合1盘693元)
100~299个¥0.158/个 (折合1盘474元)
300~999个¥0.144/个 (折合1盘432元)
1000~4999个¥0.132/个 (折合1盘396元)
5000 个以上
已售出: 4932个 (1盘有3000个) 货期:2-4天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:9936 个(可订货)

  • 商品名称:BSS138LT1G 编带
  • 商品品牌:ON(安森美)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    BSS138LT1G

  • 封装规格:SOT-23(SOT-23-3)
  • 商品编号:AT1698562
  • 商品重量:0.000100kg
BSS138LT1G中文资料
<a href = "/items/bss138lt1g-cn-1-id-44570.html">BSS138LT1G</a>中文资料第1页精选内容: ?半导体元器件工业有限公司,2016 2016年10月 - 修订版9 1出版订单编号: BSS138LT1 / D BSS138L,BVSS138L功率MOSFET 200 MA,50 V N沟道SOT-23典型应用是DC-DC转换器,电源管理便携式和电池供电的产品,如电脑,打印机, PCMCIA卡,蜂窝和无绳电话.特征 ? 低阈值电压(V GS(TH) :0.5 V-1.5 V)非常适合低电压应用 ? 微型SOT-23表面贴装封装节省电路板空间 ? 用于汽车和其他应用的BVSS前缀独特的网站和控制变更要求; AEC-Q101合格和PPAP能力 ? 这些器件为无铅,无卤素/无BFR且符合ROHS合规 最大额定值 (T A = 25°C除非另有说明)评分符号值单元漏源电压 V DSS 50 VDC栅极 - 源极电压 - 连续 V GS ±20 VDC漏极电流 - 连续@ T A = 25°C - 漏电流脉冲(T P≤10 MS) 我 D 我是 DM 200 800嘛 总功率耗散@ T A = 25°C P D. 225毫瓦运行和存储温度范围 T J ,T STG - 55至150 C热阻,结到环境 R QJA 556 °C / W最大铅温度焊接目的,持续10秒 T L 260 C强调超出最大额定值表中列出的值可能会损坏设备.如果超出这些限制中的任何一个,则设备功能不应该是假定可能会发生损坏,并且可能会影响可靠性. 3 1 2设备包 运输 ?订购信息 N沟道 SOT-23案例318风格21 J1 M G G打标框图 2 1 3 200 MA,50 V R DS(ON) = 3.5 W BSS138LT1G SOT-23 (无铅) 3000 /卷带式 BVSS138LT1G SOT-23 (无铅) 3000 /卷带式 ?有关磁带和卷轴规格的信息,包括零件方向和胶带尺寸请参阅我们的磁带和卷轴包装规格小册子,BRD8011 / D. WWW.ONSEMI.COM 1 J1 =设备代码中号 =日期代码* G =无铅封装 *日期代码方向和/或OVERBAR可以取决于制造地点. BSS138LT3G SOT-23 (无铅) 10,000 /卷带式 (
机译版中文资料(1/6) 英文原版数据手册(1/6)

*bss138lt1g中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共6页,到第