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MOS(场效应管)/FDV301N 编带
商品型号:FDV301N PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
20~199个¥0.212/个 (折合1盘636元)
200~599个¥0.146/个 (折合1盘438元)
600~1999个¥0.133/个 (折合1盘399元)
2000~9999个¥0.122/个 (折合1盘366元)
10000 个以上
已售出: 4167个 (1盘有3000个) 货期:2-4天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:15636 个(可订货)

暂停销售

  • 商品名称:FDV301N 编带
  • 商品品牌:FAIRCHILD(飞兆/仙童)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    FDV301N

  • 封装规格:SOT-23(SOT-23-3)
  • 商品编号:B1000890
  • 商品重量:0.000025kg
FDV301N中文资料
<a href = "/items/fdv301n-cn-1-id-1335.html">FDV301N</a>中文资料第1页精选内容: 1999年3月 FDV301N数字FET,N沟道一般描述特征 绝对最大额定值 A = 25 O C除非另有说明符号参数 FDV301N单位 V DSS ,V CC漏源电压,电源电压 25 V V GSS ,V I栅源电压,V在 8 V一世 D ,I O漏极/输出电流 - 连续 0.22一个 0.5 P D最大功率耗散 0.35 W ^ ? J ,T STG工作和存储温度范围 -55至150 C ESD静电放电额定值MIL-STD-883D人体模型(100PF / 1500欧姆) 6千伏热特性 RθJA热阻,结到环境 357 °C / W FDV301N REV.F 25 V,0.22 A连续,0.5 A峰值. [R DS(ON) = 5Ω @ V GS = 2.7 V [R DS(ON) = 4Ω @ V GS = 4.5 V.非常低的栅极驱动要求允许直接在3V电路中操作. V GS(TH) &AMP;LT;1.5V.用于ESD耐受性的门源齐纳二极管. &AMP;GT; 6KV人体模型用一个DMOS替换多个NPN数字晶体管 FET.此N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管采用飞兆半导体专有的高单元生产密度,DMOS技术.这是非常高密度的过程特别是为减少通态电阻而量身定制.这个设备专为低电压而设计应用作为数字晶体管的替代品.以来不需要偏置电阻,这一个N沟道FET即可用不同的偏压替换几个不同的数字晶体管电阻值.马克:301 SOT-23 SUPERSOT TM -8 SOIC-16 SO-8 SOT-223 SUPERSOT TM -6 D G小号 D小号 G在 GND VCC变频器应用 OUT ?1999飞兆半导体公司
机译版中文资料(1/5) 英文原版数据手册(1/5)

*fdv301n中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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