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集成电路/CXG1051AFN
商品型号:CXG1051AFN

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品牌:索尼(SONY)
封装:-
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  • 商品名称:CXG1051AFN
  • 商品品牌:索尼(SONY)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    CXG1051AFN

  • 封装规格:-
  • 商品编号:CYDOM185120001
  • 商品重量:0.000100kg
CXG1051AFN中文资料
<a href = "/items/cxg1051afn-cn-1-id-725682.html">CXG1051AFN</a>中文资料第1页精选内容:功率放大器/天线开关+ PHS低噪声下变频混频器描述 CXG1051AFN是由MMIC组成的MMIC功率放大器,天线开关和低噪声转换混频器.该IC采用索尼的GAAS J-FET设计过程采用单个正电源操作.特征 ?在单个正电源下工作:V DD = 3V ?小模具包装:26针HSOF &AMP;LT;功率放大器/天线开关发射器块&AMP;GT; ?低电流消耗:I DD = 150MA (P OUT = 20.2DBM,F = 1.9GHZ) ?高功率增益:GP = 39DB(典型值). (P OUT = 20.2DBM,F = 1.9GHZ) &AMP;LT;天线切换接收器块/低噪声下变频混频器&AMP;GT; ?低电流消耗:I DD = 5.5MA(典型值). (当没有信号时) ?高转换增益:GC = 20.5DB(典型值). (F = 1.9GHZ) ?低失真:输入IP3 = -13DBM(典型值). (F = 1.9GHZ) ?高图像抑制比:IMR = 40DBC TYP. (F = 1.9GHZ) ?高1/2 IF抑制比:1 / 2IFR = 44DBC TYP. (F = 1.9GHZ)应用日本数字无绳电话(PHS)结构体砷化镓J-FET MMIC绝对最大额定值 &AMP;LT;功放模块&AMP;GT; ? 电源电压 V DD 6V ?门极和源极之间的电压 V GSO 1.5 V ?漏电流 我 DD 550嘛 ?允许的功耗 P D. 3W &AMP;LT;切换块&AMP;GT;控制电压 V CTL 6V &AMP;LT;前端块&AMP;GT; ? 电源电压 V DD 6V ? 输入功率 P RF +10 DBM的 &AMP;LT;每个块共有&AMP;GT; ?通道温度 TCH 150 C ?工作温度 TOPR -35到+85 C ? 储存温度 TSTG -65到+150 C推荐工作条件 &AMP;LT;每个块共有&AMP;GT; ? 电源电压 V DD 2.7至3.3 V &AMP;LT;功放模块&AMP;GT; ?增益控制电压 VP CTL 到V DD - 1.0 V &AMP;LT;切换块&AMP;GT; ?控制电压(H) V CTL (H)2.9至3.3 V ?控制电压(L) V CTL (L) 0至0.2 V - 1 - E00225B25-PS索尼保留更改产品和规格的权利,恕不另行通
CXG1051AFN关联型号
机译版中文资料(1/7) 英文原版数据手册(1/7)

*CXG1051AFN中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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