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集成电路/MTP3N60
商品型号:MTP3N60

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:MTP3N60
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    MTP3N60

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181408518
  • 商品重量:0.000100kg
MTP3N60中文资料
MTP3N60中文资料第2页精选内容:热数据 TO-220 ISOWATT220 R thj-case热阻抗接合盒马克斯 1.25 3. 57 o C / W R thj-amb R thc-接收器 T l热阻抗接合环境马克斯热阻抗外壳典型用于焊接目的的最大引线温度 62.5 0.5 300 o C / W o C / W C雪崩特性符号参数最大值 Uni t 我 AR雪崩电流,重复或不重复 (脉冲宽度由T j max 限制 , δ<1%) 3.9一个 E AS单脉冲雪崩能量 (制定T j = 25 C,I D = I AR ,V DD = 25V) 300兆焦耳 E AR重复雪崩能量 (脉冲宽度由T j max 限制 , δ<1%) 7.7兆焦耳 我 AR雪崩电流,重复或不重复 (T c = 100 o C,脉宽由T j max 限制 , δ<1%) 2.4一个 电气特性(T case = 25 o C除非另有规定)关闭符号参数测试条件 Mi n.典型.最大.单元 V (BR)DSS漏 - 源击穿电压 我 D = 250 μAVGS = 0 600 V 我 DS S零门电压 漏极电流(V GS = 0) V DS =最大额定值 V DS =最大额定值×0.8 T c = 125 C 25 250 μA μA 我 GSS门体泄漏 电流(V DS = 0) V GS = ±20 V ±100 nA的上 ( *)符号参数测试条件 Mi n.典型.最大.单元 V GS(th) 门限电压V DS = V GS 我 D = 1毫安 2 3 4.5 V R DS(上) St atic Drain-source On抵抗性 V GS = 10V 我 D = 1.5 A. 2 2.5 Ω 我 D(上)在目前的饮用水流 V DS > I D(on) ×R DS(on)max V GS = 10V 3.9一个动态符号参数测试条件 Mi n.典型.最大.单元 g fs ( *)正向跨 V DS > I D(on) ×R DS(on)max 我 D = 1.5 A. 1.5 2.6小号 C iss C oss C rss我输入电容输出电容反向传输电容 V DS = 25V f = 1MHz V GS = 0 560 90 40 800 130 55 pF的 pF的 pF的 MTP3N60 / FI 2/10
MTP3N60关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*MTP3N60中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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