顶部
您当位置: 首页>半导体>集成电路

集成电路/PSD835G2V-12UI
商品型号:PSD835G2V-12UI

参考起售量(pcs)参考价格
1 个以上¥95/个
品牌:ST(意法半导体)
封装:-
货期:1天
已售出: 0个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:PSD835G2V-12UI
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    PSD835G2V-12UI

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181414549
  • 商品重量:0.000100kg
PSD835G2V-12UI中文资料
PSD835G2V-12UI中文资料第19页精选内容: 9.1.1.4内存操作主要的闪存和辅助闪存通过微控制器寻址在PSD835G2设备上的接口.微控制器可以一次访问这些存储器两种方式: t 微控制器可以执行典型的总线写或读操作如果使用标准总线周期访问RAM或ROM设备. t 微控制器可以执行由多个写操作组成的特定指令并阅读操作.这涉及将特定数据模式写入特定地址在Flash中调用嵌入式算法.总结了这些说明在表8中.通常情况下,只需使用读取操作,微控制器即可读取闪存因为它会读取一个ROM设备.但是,闪存只能被擦除和编程具体说明.例如,微控制器不能写一个单个字节直接写入Flash存储器,就像写入一个字节到RAM一样.编程一个字节进入Flash存储器,则微控制器必须执行程序指令序列测试编程事件的状态.这种状态测试是通过读取来实现的操作或轮询Rdy / Busy引脚(PE4).闪存也可以通过使用特殊指令来读取特定的内容闪存设备信息(扇区保护状态和ID). 9.1.1.4.1说明指令被定义为一系列特定的操作.每个收到的字节是由PSD顺序解码并且不作为标准写入操作来执行.该当正确接收到正确的字节数并执行指令时执行指令两个连续字节之间的时间短于超时值.一些说明被构造成包括在初始写入操作之后的读取操作.任何指令的顺序必须严格遵守.任何无效的组合指令字节或两个连续字节之间的超时,同时寻址Flash内存将设备逻辑重置为读取阵列模式(闪存读取像 ROM设备). PSD835G2主闪存和辅助闪存支持这些指令(见表8): t 按芯片或扇区擦除内存 t 挂起或恢复扇区擦除 t 编程一个字节 t 重置为读取阵列模式 t 读取主Flash标识符值 t 读取扇区保护状态 t 绕过指令表8详细说明了这些指令.为了有效地解码指令,指令的前两个字节是编码周期,后面跟着一个命令字节或确认字节.编码周期由将数据AAh写入地址X555h组成在第一个周期期间,数据55h在第二个周期期间寻址XAAAh(除非使用旁路指令功能
PSD835G2V-12UI关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*PSD835G2V-12UI中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共10页,到第