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MOS(场效应管)/RTR025N03TL 编带
商品型号:RTR025N03TL PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
5~49个¥0.763/个 (折合1盘2289元)
50~149个¥0.546/个 (折合1盘1638元)
150~499个¥0.491/个 (折合1盘1473元)
500~2499个¥0.444/个 (折合1盘1332元)
2500 个以上¥0.428/个 (折合1盘1284元)
已售出: 4301个 (1盘有3000个) 货期:1天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:2372 个(可订货)

  • 商品名称:RTR025N03TL 编带
  • 商品品牌:ROHM(罗姆)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    RTR025N03TL

  • 封装规格:TSMT3
  • 商品编号:AT1698275
  • 商品重量:0.000200kg
RTR025N03TL中文资料
<a href = "/items/rtr025n03tl-cn-1-id-44331.html">RTR025N03TL</a>中文资料第1页精选内容: RTR025N03晶体管 1/2 2.5V驱动NCH MOS FET RTR025N03结构体外形尺寸(单位:MM)硅N沟道MOS FET特征 1)低导通电阻. 2)节省空间 - 小型表面贴装封装(TSMT3). 3)低电压驱动(2.5V驱动).每根引线具有相同的尺寸 (1)门应用 (2)来源 (3)排水 TSMT3 0?0.1 0.16 0.85 1.0MAX 0.7 (2) (1) (3) 2.9 1.9 0.95 0.95 0.4简写符号:QZ交换 包装规格和H FE内部电路 (1)门 (2)来源 (3)排水 * 1 ESD保护二极管 * 2身体二极管 * 2 * 1 (3) (1) (2)包码大坪基本订购单位(件) RTR025N03 TL 3000类型绝对最大额定值(大= 25 C) * 1 * 2 * 1参数 V V DSS符号 V V GSS一个 我 D一个 我 DP一个 我 S一个 我 SP W ^ P D. C TCH C TSTG范围单元漏源电压栅源电压漏电流总功耗通道温度储存温度范围连续脉冲连续脉冲 * 1PW≤10μS,占空比≤1% * 2安装在陶瓷板上源电流 (体二极管)三十 150 -55到+150 12 ±2.5 ±10 0.8 10 1.0热阻参数 °C / W的RTH(CH-A)符号范围单元频道到环境 125 *安装在陶瓷板上 *
RTR025N03TL关联型号
机译版中文资料(1/3) 英文原版数据手册(1/3)

*RTR025N03TL中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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