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低功耗运放/SGM8521XN5/TR 编带
商品型号:SGM8521XN5/TR PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥3.11/件 (折合1盘9330元)
10~29件¥2.63/件 (折合1盘7890元)
30~99件¥2.3/件 (折合1盘6900元)
100 件以上¥1.99/件 (折合1盘5970元)
已售出: 5166件 (1盘有3000件) 货期:1-2天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:3283 件(可订货)

  • 商品名称:SGM8521XN5/TR 编带
  • 商品品牌:SGMICRO(圣邦微)
  • 商品类别:低功耗运放
  • 二级分类:低功耗运放
  • 商品型号:

    SGM8521XN5/TR

  • 封装规格:SOT-23-5
  • 商品编号:A4040058
  • 商品重量:0.000100kg
SGM8521XN5/TR中文资料
SGM8521XN5/TR中文资料第8页精选内容: 150KHZ,5.5μA,轨到轨I / O SGM8521 / 2/4 CMOS运算放大器 8 2017年1月 SG MICRO CORP WWW.SG-MICRO.COM应用笔记驱动容性负载 SGM8521 / 2/4可以直接驱动250PF无振荡的单位增益.统一增益追随者 (缓冲区)是电容性最敏感的配置加载.直接容性负载减少了相位放大器的余量,并导致振铃或甚至振荡.需要更大电容的应用驱动能力应使用隔离电阻在输出和容性负载之间就像 电路如图1所示.隔离电阻R ISO 和 负载电容器C L 形成零点以增加稳定性. 该 R ISO 电阻值越大,V OUT 越稳定是.请注意,这种方法会导致收益损失 准确性,因为R ISO 形成一个分压器 R LOAD . V IN V OUT SGM8521 C L R ISO图1.间接驱动大容量负载图2显示了一个改进的电路.它提供了DC 准确性以及AC稳定性. R F 提供DC通过连接反相信号的准确度 输出. C F 和R ISO 用来抵消损失通过馈送高频来实现相位裕度输出信号的一部分返回到放大器反相输入,从而保持相位裕度整体反馈回路. V IN V OUT SGM8521 C L R ISO R L R F C F图2.间接驱动大容量负载直流精度对于非缓冲区配置,还有其他两种方式增加相位裕度:(A)通过增加相位裕度放大器的增益或(B)并联放置一个电容器与反馈电阻抵消寄生与反相节点相关的电容.电源旁路和布局 SGM8521 / 2/4系列可以单独使用 + 2.1V至+ 5.5V电源或双±1.05V至±2.75V耗材.对于单电源操作,绕过 电源+ V S 用一个0.1μF的陶瓷电容器 应靠近+ V S 引脚 放置 . 用于双电源 操作,+ V S 和-V S 电源都应该是用单独的0.1μF陶瓷旁路到地电容.可添加2.2μF钽电容更好的性能. SGM8521 + V S VN VP -V S V OUT SGM8521 VN VP + V S -V S (GND) V OUT 10 μF 0.1 μF 10 μF 0.1 μF 10 μF 0.1 μF图3.带旁路电容的放大器
SGM8521XN5TR关联型号
机译版中文资料(1/16) 英文原版数据手册(1/16)

*SGM8521XN5TR中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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