顶部
您当位置: 首页>放大器、线性器件>低功耗运放

低功耗运放/SGM8521XN5/TR 编带
商品型号:SGM8521XN5/TR PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥2.06/件 (折合1盘6180元)
10~29件¥1.61/件 (折合1盘4830元)
30~99件¥1.52/件 (折合1盘4560元)
100 件以上¥1.44/件 (折合1盘4320元)
已售出: 5166件 (1盘有3000件) 货期:1天
数量:
X 0 = 0.0 库存数量:327 件(可订货)

A4040058.pdf
SGM8521数据手册
  • 商品名称:SGM8521XN5/TR 编带
  • 商品品牌:SGMICRO(圣邦微)
  • 商品类别:低功耗运放
  • 二级分类:低功耗运放
  • 商品型号:

    SGM8521XN5/TR

  • 封装规格:SOT-23-5
  • 商品编号:A4040058
  • 商品重量:0.000100克
SGM8521XN5/TR中文资料
150kHz,5.5μA,轨至轨I / O SGM8521 / 2/4 CMOS运算放大器 8 2017年1月 SG微公司 www.sg-micro.com应用笔记驱动电容负载 SGM8521 / 2/4可以直接驱动250pF无振荡的单位增益.团结增益追随者 (缓冲器)是电容最敏感的配置加载.直接电容负载降低了相位放大器的余量,这导致振铃或甚至振荡.需要更大容性的应用驱动能力应使用隔离电阻在输出和容性负载之间 电路如图1所示.隔离电阻R ISO 和 负载电容C L 形成零以增加稳定性. 该 R ISO 电阻值越大,V OUT 越稳定是.请注意,这种方法会导致增益的损失 精度因为R ISO 形成了分压器 加载 . V IN V OUT SGM8521 C L R ISO间接驱动重载电容一个改进的电路如图2所示.它提供DC 精度以及交流稳定性. R F 提供DC通过连接反相信号的精度 输出. C F 和R Iso 用于抵消损失相位裕度通过馈送高频输出信号的分量返回到放大器反相输入,从而保持相位裕量整体反馈回路. V IN V OUT SGM8521 C L R ISO R L R F C F图2.间接驱动重载电容负载直流精度对于非缓冲区配置,还有另外两种方式增加相位裕度:(a)通过增加放大器的增益或(b)通过并联放置电容器与反馈电阻抵消寄生与反相节点相关的电容.电源旁路和布局 SGM8521 / 2/4系列是由单一的 + 2.1V至+ 5.5V电源或双±1.05V至±2.75V耗材.对于单电源操作,绕过 电源+ V S 与0.1μF陶瓷电容器 应放置在+ V S 引脚附近. 用于双电源 操作时,+ V S 和-V S 电源均应为用分开的0.1μF陶瓷旁路到地面电容.可添加2.2μF钽电容更好的表现. SGM8521 + V S VN VP -V S V OUT SGM8521 VN VP + V S -V S (GND) V OUT 10 μF 0.1 μF 10 μF 0.1 μF 10 μF 0.1 μF图3.具有旁路电容器的放大器
SGM8521XN5TR关联型号
机译版中文资料(1/16) 英文原版数据手册(1/16)

*SGM8521XN5TR中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共16页,到第