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MOS(场效应管)/SI5853DDC-T1-E3
商品型号:SI5853DDC-T1-E3

参考起售量(pcs)参考价格
10~99个¥1/个
100~399个¥0.531/个
400~999个¥0.449/个
1000~2999个¥0.421/个
3000 个以上¥0.408/个
品牌:VISHAY(威世)
封装:1206-8 CHIPFET
货期:1天
已售出: 3436个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI5853DDC-T1-E3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI5853DDC-T1-E3

  • 封装规格:1206-8 CHIPFET
  • 商品编号:SL00615
  • 商品重量:0.000100克
SI5853DDC-T1-E3中文资料
Vishay Siliconix Si5853DDC新产品文件编号:68979 S-82583-REV. A,08年10月27日 www.vishay.com 1带肖特基二极管的P沟道20 V(DS)MOSFET特征 ? LITTLE FOOT?Plus 肖特基功率MOSFET应用 ?便携式设备充电开关 - 集成低V f 沟槽肖特基二极管底视图 1206-8 ChipFET一个一个小号 G ? ? e e 1标记代码 JH XX批次追溯和日期代码零件编号订购信息:Si5853DDC-T1-E3(无铅) ?一个小号 G e P沟道MOSFET 绝对最大额定值T A = 25°C,除非另有说明参数符号限制单元漏源电压(MOSFET) V DS - 20 V反向电压(肖特基) V KA 20栅源电压(MOSFET) V GS ±8 连续漏极电流(T J = 150°C)(MOSFET) T C = 25°C 我 D - 4 a一个 T C = 70℃ - 3.5 T A = 25℃ - 2.9 b,c T A = 70℃ - 2.3 b,c脉冲漏极电流(MOSFET) 我 DM - 10连续源电流(MOSFET二极管导通) T C = 25°C 我是 - 2.6 T A = 25℃ - 1.1 b,c平均正向电流(肖特基) 我 F 1脉冲正向电流(肖特基) 我 FM 3最大功耗(MOSFET) T C = 25°C P D 3.1 w ^ T C = 70℃ 2 T A = 25℃ 1.3 b,c T A = 70℃ 0.8 b,c最大功耗(肖特基) T C = 25°C 2.5 T C = 70℃ 1.6 T A = 25℃ 1.2 T A = 70℃ 0.76工作结温和存储温度范围 T J ,T stg - 55至150 C 焊接建议(峰值温度) d,e 260 RoHS指令柔顺 MOSFET产品概要 V DS (V) R DS(on) (Ω)I D (A) Q g (Typ.) - 20 V GS = - 4.5 V时为 0.105 - 4 a 4.7 nC 在V GS = -0.5V时为0.143 - 3.8 V8 = 1.8V时为 0.188 - 3肖特产品概要 V KA (V) V f (V)二极管正向电压 我 F (A) 20 0.46在0.5A 1
SI5853DDC-T1-E3关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*SI5853DDC-T1-E3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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