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MOS(场效应管)/SI5853DDC-T1-E3
商品型号:SI5853DDC-T1-E3

参考起售量(pcs)参考价格
10~99个¥1.16/个
100~399个¥0.616/个
400~999个¥0.521/个
1000~2999个¥0.488/个
3000 个以上¥0.474/个
品牌:VISHAY(威世)
封装:1206-8 CHIPFET
货期:1天
已售出: 3436个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:SI5853DDC-T1-E3
  • 商品品牌:VISHAY(威世)
  • 商品类别:MOS(场效应管)
  • 二级分类:MOS(场效应管)
  • 商品型号:

    SI5853DDC-T1-E3

  • 封装规格:1206-8 CHIPFET
  • 商品编号:SL00615
  • 商品重量:0.000100kg
SI5853DDC-T1-E3中文资料
SI5853DDC-T1-E3中文资料第2页精选内容: www.vishay.com 2文件编号:68979 S-82583-REV. A,2008年10月27日 Vishay Siliconix Si5853DDC新产品笔记:一个.包裹有限.湾表面安装在FR4板上. C. ? ≤5秒. d. 请参阅焊料配置文件 (http://www.vishay.com/doc?73257). ChipFET是无铅封装. 引线端子的末端暴露铜 (未镀)作为制造分割过程的结果.暴露的铜尖端的焊料圆角不能得到保证,也不能保证需要确保足够的底面焊料互连.即返修条件:不建议使用烙铁手动焊接无铅元件. F. MOSFET在稳态条件下的最大值为130°C / W. G.肖特基稳态条件下的最大值为125°C / W.热阻评级参数符号典型最大单元 最大结到环境(MOSFET) b,c,f R thJA 77 95 °C / W最大的结至脚(漏极)(MOSFET) R thJF 33 40 最大结到环境(肖特基) b,c,g R thJA 85 105最大结到脚(漏)(肖特基) R thJF 40 50 规格T J = 25°C,除非另有说明参数符号测试条件闵.典型.最大.单元静态的漏源击穿电压 V DS V GS = 0V,I D = - 250μA - 20 V V DS 温度系数 ΔV DS / TJ I D = - 250μA 13,毫伏/℃ V GS(th) 温度系数 ΔV GS(th)的/ TJ 2.4门源阈值电压 V GS(th) V DS = V GS ,I D = - 250μA - 0.4 - 1 V门体泄漏 我 GSS V DS = 0V,V GS =±8V ±100 nA的零栅极电压漏极电流 我 DSS V DS = - 20V,V GS = 0V - 1 μA V DS = - 20V,V GS = 0V,T J = 85℃ - 10 开态漏电流 a 我 D(上) V DS≤-5V,V GS = - 4.5V - 10一个 排水源通态电阻 a R DS(上) V GS = - 4.5V,I D = - 2.9A 0.085 0.105 Ω V GS = - 2.5V,I D = - 2.5A 0.117 0.143 V GS = - 1.8V,I D = - 1.5A 0.155 0.188 正向
SI5853DDC-T1-E3关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*SI5853DDC-T1-E3中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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