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集成电路/STGW45NC60WD
商品型号:STGW45NC60WD

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STGW45NC60WD
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STGW45NC60WD

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181417805
  • 商品重量:0.000100kg
STGW45NC60WD中文资料
STGW45NC60WD中文资料第5页精选内容: STGW45NC60WD电气特性 5/14表6打开/关闭(感性负载)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 t d(on) t r (di / dt)开启延迟时间目前上涨时间开启电流斜率 V CC = 390V,I C = 30A R G =10Ω,V GE = 15V, (见图17) 33 12 2600 NS NS A /μs的 t d(on) t r (di / dt)开启延迟时间目前上涨时间开启电流斜率 V CC = 390V,I C = 30A R G =10Ω,V GE = 15V, T C = 125℃ (见图17) 32 14 2300 NS NS A /μs的 t r (V off ) t d ( 关闭 ) t f关电压上升时间关闭延迟时间当前下降时间 V cc = 390V,I C = 30A, R GE =10Ω,V GE = 15V, (见图17) 26 168 36 NS NS NS t r (V off ) t d ( 关闭 ) t f关电压上升时间关闭延迟时间当前下降时间 V cc = 390V,I C = 30A, R GE =10Ω,V GE = 15V, T C = 125℃ (见图17) 54 213 67 NS NS NS表7开关能量(感性负载)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 E 上 (1) E 关闭 (2) E ts 1. Eon是包括二极管的测试电路中使用典型二极管时的导通损耗回收能量.如果IGBT采用co-pak二极管封装,则使用辅助二极管外部二极管. IGBT和二极管处于相同的温度(25°C和125°C) 2.关断损耗还包括集电极电流的尾部导通开关损耗关闭开关损耗总切换损失 V CC = 390V,I C = 30A R G =10Ω,V GE = 15V, (见图17) 302 349 651 μJ μJ μJ E 上 (1) E 关闭 (2) E ts导通开关损耗关闭开关损耗总切换损失 V CC = 390V,I C = 30A R G =10Ω,V GE = 15V, T C = 125℃ (见图17) 553 750 1303 μJ μJ μJ
STGW45NC60WD关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STGW45NC60WD中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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