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集成电路/STTH1002CBY-TR
商品型号:STTH1002CBY-TR

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:STTH1002CBY-TR
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    STTH1002CBY-TR

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181414984
  • 商品重量:0.000100kg
STTH1002CBY-TR中文资料
STTH1002CBY-TR中文资料第2页精选内容:特点 STTH1002C-Y 2/9 Doc ID 17536 Rev 2 1特点当二极管1和2同时使用时: ΔT j (二极管1)= P(二极管1)×R th(jc) (每二极管)+ P(二极管2)×R th(c)要评估传导损耗,请使用以下公式: P = 0.73×I F(AV) + 0.032 I F 2 (RMS)表2绝对额定值(限制值,每个二极管)符号参数值单元 V RRM重复的峰值反向电压 200 V I F(RMS) 正向均方根电流 D 2 PAK 20一个 DPAK 10 我 (AV)平均前进电流 δ= 0.5 每个二极管的 T c = 155°C五一个 T c = 150°C每个设备 10 T c =每个二极管135°C 8 T c = 125°C每个设备 16 我 FSM浪涌不重复正向电流 t p = 10 ms正弦曲线 50一个 T stg存储温度范围 -65到+ 175 C T j工作结温范围 -40至+ 175 C表3.热参数符号参数价值(最大)单元 R th(jc)交界处的情况每个二极管 4 °C / W每个设备 2.5 R th(jc)耦合 1.0表4静电特性(每个二极管)符号参数测试条件闵.典型.最大.单元 我 R (1) 1. 脉冲测试:t p = 5ms,δ<2%反向漏电流 T j = 25℃ V R = V RRM五 μA T j = 125℃ 3 40 V F (2) 2. 脉冲测试:t p =380μs,δ<2%正向压降 T j = 25℃ 我 F = 5 A. 1.1 V T j = 25℃ 我 F = 10 A. 1.25 T j = 150℃ 我 F = 5 A. 0.78 0.89 T j = 150℃ 我 F = 10 A. 1.05
STTH1002CBY-TR关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*STTH1002CBY-TR中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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