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DC-DC芯片/TPS5430DDAR 编带
商品型号:TPS5430DDAR PDF数据手册)

起售量(pcs)价格
1~9件¥8.86/件 (折合1盘22150元)
10~29件¥7.38/件 (折合1盘18450元)
30~99件¥5.11/件 (折合1盘12775元)
100~499件¥4.06/件 (折合1盘10150元)
500 件以上¥3.71/件 (折合1盘9275元)
已售出: 12874件 (1盘有2500件) 货期:1-2天
数量:
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  • 商品名称:TPS5430DDAR 编带
  • 商品品牌:TI(德州仪器)
  • 商品类别:DC-DC芯片
  • 二级分类:DC-DC芯片
  • 商品型号:

    TPS5430DDAR

  • 封装规格:SOP-8_EP_150mil
  • 商品编号:A2040030
  • 商品重量:0.000150kg
TPS5430DDAR中文资料
TPS5430DDAR中文资料第12页精选内容: 12 TPS5430,TPS5431 SLVS632I - 2006年1月 - 修订了2017年4月 WWW.TI.COM产品文件夹链接:TPS5430 TPS5431提交文档反馈版权?2006-2017,德州仪器(TI)公司功能说明(续) 7.3.8脉宽调制(PWM)控制该稳压器采用固定频率脉宽调制(PWM)控制方法.首先是反馈电压(VSENSE引脚电压)通过高增益误差放大器与恒压基准进行比较补偿网络产生一个误差电压.然后,误差电压与斜坡电压进行比较 PWM比较器.这样,误差电压幅度被转换成占空比的脉冲宽度.最后,PWM输出被馈送到栅极驱动电路以控制高端MOSFET的导通时间. 7.3.9过流限制过流限制是通过检测高端MOSFET两端的漏极 - 源极电压来实现的.该然后将漏源电压与表示过电流阈值极限的电压电平进行比较.如果漏极 - 源极电压超过过流阈值限制,过流指示器设置为真.系统将忽略在每个周期开始时的前沿消隐时间的过流指示器以避免任何情况开启噪声故障.一旦过流指示器设置为真,就会触发过流限制.高端MOSFET被关闭传播延迟后的周期的其余部分.过流限制模式称为逐周期电流限制.有时在短路等严重的过载情况下,过电流失控仍可能发生当使用逐周期电流限制时.使用第二种电流限制模式,即打嗝模式过流限制.在打嗝模式下的过流限制中,参考电压接地且高端关闭打嗝时间的MOSFET.一旦打嗝持续时间结束,调节器重新启动控制慢启动电路. 7.3.10过压保护 TPS543X具有过压保护(OVP)电路,可以在恢复时尽量减少电压过冲输出故障状态. OVP电路包括一个过压比较器来比较VSENSE引脚电压和112.5%X VREF的阈值.一旦VSENSE引脚电压高于阈值,高端 MOSFET将被强制关闭.当VSENSE引脚电压下降低于阈值时,高端 MOSFET将再次启用. 7.3.11热关断 TPS543X通过内部热关断电路防止过热.如果路口温度超
TPS5430DDAR关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*TPS5430DDAR中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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