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集成电路/VB125SP
商品型号:VB125SP

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品牌:ST(意法半导体)
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  • 商品名称:VB125SP
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    VB125SP

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181411701
  • 商品重量:0.000100kg
VB125SP中文资料
VB125SP中文资料第4页精选内容: 4/8 VB125SP 注1:当6V <V bat <10V和V bat > 24V时 允许参数退化 .注2:在该器件的高压钳位结构中,实施了温度补偿.该电路原理图如图. 1. KVbe电池负责温度补偿.整体 新电路的电气特性如图1所示. 2.直到V CE = nV Z 没有电流流入收集器(只是 功率级漏电流); 对于nV Z <V CE <V CL ,电流开始流过KVbe的电阻补偿电路(典型斜率 20 K )一旦Vcl达到动态阻力下降到~4至保护设备免受过电压(见图3).注3:功率级的饱和电压包括检测电阻的压降.注4:考虑到设备的不同操作方式(有或没有火花等),有一些短暂的 输出端子(HV C )由于泄漏而被负电流拉到地下 的时间段点火线圈的电感和杂散电容.使用VIPower器件,如果不采取纠正措施,负电流会导致诊断输出上的寄生毛刺.为了消除这个潜在的问题,一个避免的电路 通过从电池发送所需的负电流, HV C 被拉开 的可能性 是在VB125SP中实现.由于这个原因,有一些短时间内流过超过220mA的电流 在引脚V D.注5:16V(典型值)的齐纳保护被置于电源引脚(V)上 CC )的芯片来保护内部电路. 出于这个原因,当电池电压超过这个值时,流入Vcc 引脚 的电流 可能会大于 V bat = 14V时的 最大电流 (在通电和断电的情况下):它将受到内部的限制电阻.注6初级线圈电流值Icl必须在功率级去饱和后1 ms测量.注7:这些限制适用于允许的最小电池电压和线圈和电缆上的电阻降达到限制或诊断水平.注8无内部下拉. 注9 Tj min = 150 °C意味着器件的性能不会受到结温的影响 150 °C.对于较高的温度,热保护电路将开始其作用,降低Icl极限功耗.芯片温度是设备将在其中运行的整个系统的Rth的函数 (见图4).注10传播时间从输入电压上升沿到输出电压下降沿的50%.注11:一旦输入信号切换为低电平,功率晶体管基极中的存储电荷将被移除并开始所谓的“线圈
VB125SP关联型号
机译版中文资料(1/8) 英文原版数据手册(1/8)

*VB125SP中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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