顶部
您当位置: 首页>半导体>集成电路

集成电路/VNQ05XSP16TR-E
商品型号:VNQ05XSP16TR-E

参考起售量(pcs)参考价格
1 个以上¥95/个
品牌:ST(意法半导体)
封装:-
货期:1天
已售出: 0个
库存数量:0 个(可订货)

  • 商品名称:VNQ05XSP16TR-E
  • 商品品牌:ST(意法半导体)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    VNQ05XSP16TR-E

  • 封装规格:-
  • 商品编号:STM181404937
  • 商品重量:0.000100kg
VNQ05XSP16TR-E中文资料
VNQ05XSP16TR-E中文资料第9页精选内容: 9/17 VNQ05XSP16应用程序示意图 V CC OUTPUT2 C. SENSE D ld + 5V R 蛋白 OUTPUT1 R SENSE INPUT1 INPUT2 μC R 蛋白 R 蛋白 R 蛋白 INPUT3 INPUT4 D GND R GND V GND GND OUTPUT3 R 蛋白 R 蛋白 R 蛋白 R 蛋白 OUTPUT4注意:Input1,2,3,4,SELA,SELB,SENSENABLE具有相同的结构.拉美经济体系沙电 SENSENABLE GND保护网络反对反向电池 解决方案1:地线中的电阻( 仅限 R GND ). 这个可以用于任何类型的负载.以下是如何维度的指示 R GND 电阻. 1)R GND≤600mV /(I S(on)max ). 2)R GND≥ (-V CC )/( - I GND ) 其中-I GND 是直流反接地引脚电流,可以被发现在绝对最大的评级部分的器件的数据表. R GND的 功耗 (当V CC <0时:反向电池情况)是: P D =(-V CC ) 2 / R GND这个电阻可以共享几个不同的 HSD.请注意,这个电阻的值应该是 用公式(1)计算,其中I S(on)max 成为不同的最大通态电流之和设备.请注意,如果微处理器地不是 与器件地共同,然后R GND 将 在输入阈值中 产生移位(I S(on)max * R GND )和状态输出值.这种转变会有所不同取决于有多少个设备在打开的情况下 几个高端驱动器共享相同的R GND .如果计算的功耗导致很大电阻器或几个设备必须共享相同的电阻,然后ST建议利用解决方案2(见下面). 解决方案2: 地线中的 二极管(D GND ). 并联 一个电阻(R GND =1kΩ) D GND 如果设备将驱动感性负载.这个小信号二极管可以安全地共享几个不同的HSD.在这种情况下,也存在地面网络会产生一个转变( ?600mV)中输入阈值和状态输出值微处理器接地在设备中并不常见地面.如果多于一个HSD,这个转变不会改变共享相同的二极管/电阻网络.负载转储保护 D ld 是必要的(电压瞬态抑制器) 负载突降
VNQ05XSP16TR-E关联型号
机译版中文资料(1/10) 英文原版数据手册(1/10)

*VNQ05XSP16TR-E中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

共10页,到第