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集成电路/ZDT6705TC
商品型号:ZDT6705TC

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品牌:ZiLOG
封装:-
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  • 商品名称:ZDT6705TC
  • 商品品牌:ZiLOG
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    ZDT6705TC

  • 封装规格:-
  • 商品编号:CYDOM185120026
  • 商品重量:0.000100kg
ZDT6705TC中文资料
<a href = "/items/zdt6705tc-cn-1-id-725707.html">ZDT6705TC</a>中文资料第1页精选内容: SM-8补充中等功率达林顿晶体管第1期 - 1995年11月部分标志细节 - T6705绝对最大额定值.参数符号 NPN PNP单元集电极 - 基极电压 V CBO 140 -140 V集电极 - 发射极电压 V CEO 120 -120 V发射极 - 基极电压 V EBO 10 -10 V峰值脉冲电流 我是 CM 4-4一个连续集电极电流 我 C 1-1一个 工作和存储温度范围T J :T STG -55到+150 C热特性参数符号值单元 T AMB = 25°C时的 总功耗 *任何单一的死亡“在”两者同时死亡 P TOT 2.25 2.75 W ^ W ^减免高于25°C *任何单一的死亡“在”两者同时死亡 18 22 MW /°C MW /°C热阻 - 结到环境*任何单一的死亡“在”两者同时死亡 55.6 45.5 °C / W °C / W *假设设备以典型方式安装,可消散的功率在铜上等于2平方英寸的PCB上. ZDT6705 SM-8 (8 LEAD SOT223) C 1 C 1 C 2 C 2 B 1 E 1 B 2 E 2 NPN PNP NPN晶体管 电气特性(在T AMB = 25°C时).参数符号 MIN. TYP. MAX.单元条件.集电极基击穿电压 V (BR)CBO 140 V I C =100μA集电极 - 发射极击穿电压 V (BR)首席执行官 120 V I C = 10MA *发射基击穿电压 V (BR)EBO 10 V 我 E =100μA收集器截止当前 我是 CBO 0.01 10 μ一个 μ一个 V CB = 120V V CB = 120V, T AMB = 100℃ 发射极截止电流I EBO 0.1 μ一个 V EB = 8V COLLLECTOR发射极截止电流 我是 CES 10 μ一个 V CES = 120V集电极 - 发射极饱和电压 V CE(SAT) 1.0 1.5 V V I C = 250MA,I B = 0.25MA * I C = 1A,I B = 1MA *基射饱和电压 V BE(SAT) 1.8 V I C = 1A,I B = 1MA *基射开启电压 V BE(上) 1.7 V I C = 1A,V CE = 5V *静态转发当前转移比率 H FE 2K 5K 2K 0.5K 100K I C = 50MA,V CE = 5V I C = 500MA,
ZDT6705TC关联型号
机译版中文资料(1/3) 英文原版数据手册(1/3)

*ZDT6705TC中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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