| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | Nexperia(安世) | |
| 封装 | SOT-363 | |
| 包装 | 盘 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 300mA | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 1.6Ω@500mA,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 2.1V@250UA | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 50pF@10V | |
| FET功能 | 逻辑电平门 | |
| 产品应用 | 汽车级 | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 0.6nC@4.5V | |
| 功率-最大值 | 295mW | |
| 配置 | 2N-通道（双） | |
| 供应商器件封装 | 6-TSSOP | |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | |
| 等级 | AEC-Q101 |
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