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集成电路/BT131
商品型号:BT131

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品牌:NXP(恩智浦)
封装:-
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  • 商品名称:BT131
  • 商品品牌:NXP(恩智浦)
  • 商品类别:集成电路
  • 二级分类:集成电路
  • 商品型号:

    BT131

  • 封装规格:-
  • 商品编号:NXP183116156
  • 商品重量:0.000100kg
BT131中文资料
<a href = "/items/bt131-cn-1-id-228666.html">BT131</a>中文资料第1页精选内容:飞利浦半导体产品规格三端双向可控硅 BT131系列逻辑级别一般描述快速参考数据玻璃钝化,敏感门符号参数 MAX. MAX.单元打算在一个塑料信封的双向可控硅对于使用在一般目的 BT131- 500 600双向开关和相位 V DRM重复峰值关断状态电压 500 600 V控制应用.这些设备一世 T(RMS) RMS通态电流 1 1一个旨在直接连接一世 TSM不重复的峰值通态电流 16 16一个到微控制器,逻辑集成电路和其他低功率门触发电路.钉扎 - TO92引脚配置符号销描述 1主要终端2 2门 3主要终端1限制值根据绝对最大系统(IEC 134)限制数值.符号参数条件 MIN. MAX.单元 -500 -600 V DRM重复峰值关闭状态 - 500 1 600 1 V电压一世 T(RMS) RMS通态电流完整的正弦波; ? 铅 ≤51?C - 1一个一世 TSM非重复峰值完整的正弦波; ? J = 25?C之前通态电流浪涌 T = 20MS - 16一个 T = 16.7毫秒 - 17.6一个一世 2 TI 2 T用于定影 T = 10毫秒 - 1.28一个 2 秒的DI T / DT重复率的上升一世 TM = 1.5A; I G = 0.2 A;通态电流后的DI G / DT = 0.2A /μS触发 T2 + G + - 50一个/微秒 T2 + G- - 50一个/微秒 T2-G- - 50一个/微秒 T2-G + - 10一个/微秒一世 GM峰值门电流 - 2一个 V GM峰值栅极电压 - 五 V P GM高峰门功率 - 五 W ^ P G(AV)平均门功率在任何20毫秒期间 - 0.5 W ^ ? STG储存温度 -40 150 C ? ?经营路口 - 125 C温度 T1 T2 G 32 1 1尽管不推荐使用800V以下的断态电压,但三端双向可控硅开关可能会损坏切换到开启状态.电流上升速度不应超过3 A /微秒. 1998年4月 1 1.000版本
BT131关联型号
机译版中文资料(1/6) 英文原版数据手册(1/6)

*BT131中文资料的内容均为机器翻译结果,仅供参考

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