| 商品分类 | 场效应管(MOSFET) | |
| 品牌 | DIODES(美台) | |
| 封装 | SO-8 | |
| 包装 | 盘 | |
| FET类型 | N通道 | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | |
| 25℃时电流-连续漏极(Id) | 10.3A（Ta） | |
| 驱动电压（最大RdsOn,最小RdsOn） | 4.5V,10V | |
| 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值） | 12mΩ@12A,10V | |
| 不同Id时Vgs(th)（最大值） | 2.5V@250UA | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值） | 1415pF@15V | |
| FET功能 | - | |
| 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） | |
| 不同Vgs时栅极电荷(Qg)（最大值） | 25.1nC@10V | |
| 供应商器件封装 | 8-SO | |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154",3.90mm宽） |
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